[发明专利]介电组合物及包含该介电组合物的多层陶瓷电容器

说明书

提供一种介电组合物及包含该介电组合物的多层陶瓷电容器。所述介电组合物包含作为主要成分的Ba和Ti的氧化物，且主要成分由(Ba_1‑x(Na,Ca)_x)TiO₃表示，其中0.005≤x≤0.035，0.994<(Ba_1‑x(Na,Ca)_x)/Ti<1.003。

本申请要求于2015年12月28日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0187166号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。

技术领域

本公开涉及一种能够满足X5R温度特性、X7R温度特性和X8R温度特性以改善可靠性的新的介电组合物以及包含该介电组合物的多层陶瓷电容器。

背景技术

近来，由于显示装置的尺寸的增加、计算机的中央处理器(CPU)的速度的增加等，发热已经成为电子装置的重要问题。因此，能够在高温下确保稳定的电容和可靠性以稳定操作集成电路(IC)的X5R(工作温度：-55℃-+85℃)多层陶瓷电容器、X7R(工作温度：-55℃-+125℃)多层陶瓷电容器以及X8R(工作温度：-55℃-+150℃)多层陶瓷电容器的市场需求已增加。

另外，根据近期的电子产品总体朝向小型化、重量变轻以及多功能的趋势，具有紧凑尺寸、高电容和耐高压的多层陶瓷电容器(MLCC)已得到连续不断地需求。因此，除了介电层的纤薄之外，优异的耐受电压和DC特性已被认为是开发X5R、X7R和X8R多层陶瓷电容器中的重要特征。

介电层的纤薄和耐高压特性增加了施加的电场的强度，并可使其DC特性和耐电压特性劣化。具体地，由于介电层的纤薄而导致的精细的结构缺陷可对诸如击穿电压(BDV)的耐受电压特性、高温绝缘电阻(IR)等有严重的负面影响。

发明内容

本公开的一方面提供一种能够改善X5R温度特性、X7R温度特性、X8R温度特性和可靠性的新的介电组合物以及包含该介电组合物的多层陶瓷电容器。

根据本公开的一方面，一种介电组合物包含作为主要成分的Ba和Ti的氧化物，其中，所述主要成分由(Ba_1-x(Na,Ca)_x)TiO₃表示，其中0.005≤x≤0.035，0.994<(Ba_1-x(Na,Ca)_x)/Ti<1.003。

根据本公开的另一方面，采用如上所述的介电组合物实现一种多层陶瓷电容器，从而可改善介电特性、耐受电压特性等。

根据本公开的另一方面，一种多层陶瓷电容器包含陶瓷主体，介电层和内电极交替地堆叠在所述陶瓷主体中。所述介电层包含含有作为主要成分的Ba和Ti的氧化物的介电组合物，且所述主要成分由(Ba_1-x(Na,Ca)_x)TiO₃表示，其中0.005≤x≤0.035，0.994<(Ba_1-x(Na,Ca)_x)/Ti<1.003。

附图说明

通过下面结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征和优点将会被更清楚地理解，其中：

图1是示意性地示出当BaTiO₃中的Ba被Ca或Na取代时的晶格结构变化的视图；

图2是示出根据本公开的示例性实施例的多层陶瓷电容器的透视图；

图3是示出沿着图2的线I-I’截取的多层陶瓷电容器的剖视图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图如下描述本发明构思的实施例。