[发明专利]介电组合物及包含该介电组合物的多层陶瓷电容器

权利要求书

1.一种介电组合物，所述介电组合物包含作为主要成分的Ba和Ti的氧化物，

其中，所述主要成分由(Ba_1-xNa_x)TiO₃表示，其中0.005≤x≤0.035，0.994<(Ba_1-xNa_x)/Ti<1.003。

2.根据权利要求1所述的介电组合物，所述介电组合物基于100mol％的主要成分还包括0.1mol％至1.0mol％的第一辅助成分，其中，所述第一辅助成分为Mn、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu和Zn中的至少一种的氧化物或碳酸盐。

3.根据权利要求2所述的介电组合物，所述介电组合物基于100mol％的主要成分还包括0.1mol％至1.0mol％的第二辅助成分，其中，所述第二辅助成分为Mg和Al中的至少一种的氧化物或碳酸盐。

4.根据权利要求3所述的介电组合物，所述介电组合物基于100mol％的主要成分还包括0.1mol％至1.0mol％的第三辅助成分，其中，所述第三辅助成分为Ce、Nb、La和Sb中的至少一种的氧化物或碳酸盐。

5.根据权利要求4所述的介电组合物，所述介电组合物基于100mol％的主要成分还包括0.1mol％至1.0mol％的第四辅助成分，其中，所述第四辅助成分为Si、Ba、Ca和Al中的至少一种的氧化物或碳酸盐。

6.根据权利要求4所述的介电组合物，所述介电组合物基于100mol％的主要成分还包括0.1mol％至1.0mol％的第四辅助成分，其中，所述第四辅助成分为包含Si的玻璃复合物。

7.一种多层陶瓷电容器，所述多层陶瓷电容器包括陶瓷主体，介电层和内电极交替地堆叠在所述陶瓷主体中，

其中，所述介电层包含含有作为主要成分的Ba和Ti的氧化物的介电组合物，

所述主要成分由(Ba_1-xNa_x)TiO₃表示，其中，0.005≤x≤0.035，0.994<(Ba_1-xNa_x)/Ti<1.003。

8.根据权利要求7所述的多层陶瓷电容器，其中，所述内电极包含镍(Ni)。

9.根据权利要求7所述的多层陶瓷电容器，其中，所述介电组合物基于100mol％的主要成分还包括0.1mol％至1.0mol％的第一辅助成分，其中，所述第一辅助成分为Mn、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu和Zn中的至少一种的氧化物或碳酸盐。

10.根据权利要求9所述的多层陶瓷电容器，其中，所述介电组合物基于100mol％的主要成分还包括0.1mol％至1.0mol％的第二辅助成分，其中，所述第二辅助成分为Mg和Al中的至少一种的氧化物或碳酸盐。

11.根据权利要求10所述的多层陶瓷电容器，其中，所述介电组合物基于100mol％的主要成分还包括0.1mol％至1.0mol％的第三辅助成分，其中，所述第三辅助成分为Ce、Nb、La和Sb中的至少一种的氧化物或碳酸盐。

12.根据权利要求11所述的多层陶瓷电容器，其中，所述介电组合物基于100mol％的主要成分还包括0.1mol％至1.0mol％的第四辅助成分，其中，所述第四辅助成分为Si、Ba、Ca和Al中的至少一种的氧化物或碳酸盐。

13.根据权利要求11所述的多层陶瓷电容器，其中，所述介电组合物基于100mol％的主要成分还包括0.1mol％至1.0mol％的第四辅助成分，其中，所述第四辅助成分为包含Si的玻璃复合物。