[发明专利]基板处理装置及基板处理方法

说明书

本发明公开一种基板处理装置及基板处理方法，其通过在工艺腔室中一体地构成装载锁部而简化装置的构造并减少设置空间，并且可以通过减少基板的移送步骤而提高基板处理速度。为此，对于本发明的基板处理装置(1)而言，用于在真空状态下处理所述基板的多个腔室中的第一腔室(100)中一体地配备有用于在与前端模块之间装载及卸载所述基板的装载锁部(100a)，在布置有所述装载锁部(100a)的第一腔室(100)的第一空间(S1)和配备于所述第一空间(S1)的下侧而与所述多个腔室连通的第一腔室(100)的第二空间(S2)在空间上彼此隔离的状态下，进行所述基板的装载和卸载。

技术领域

本发明涉及一种基板处理装置及基板处理方法，尤其涉及一种能够简化装置的构成并减少设置空间，且能够提升基板处理速率的基板处理装置和基板处理方法。

背景技术

通常，半导体通过依次执行用于形成膜、形成图案、形成金属布线等的一系列的单位工序而被制造。所述单位工序通常在工艺腔室内部进行。

作为关于用于制造上述半导体基板的基板处理装置的现有技术的一示例，图1示出韩国授权专利第10-1074083号中公开的基板处理装置。图1中示出的基板处理装置1由装载部(load port)10、前端模块(EFEM)20和工序处理部30构成。

所述装载部10沿着第一方向11布置在前端模块20的前方，并包括多个支撑部6。各个支撑部6中置有用于收纳将要提供到工序的基板W以及完成工艺处理的基板W的载体4。

所述前端模块20包括：框架21，布置在装载部10和工艺处理部30之间；移送机器人25，布置在框架21的内部，并在装载部10与工艺处理部30之间移送所述基板W。

所述工艺处理部30包括装载锁腔室40、转移腔室50和多个工艺腔室60。

如上所述地构成的现有基板处理装置通过在工艺腔室60中维持所需要的真空度，并为了基板的装载、工艺处理及卸载而移送基板。其需要在前端模块20与工艺腔室60之间配备专门的装载锁腔室40和转移腔室50，因此导致装置具有如下的缺点：构造复杂，装置的设置所占空间较大，难以将各种处理装置配置于预定的空间。

并且，因为在前端模块20和工艺腔室60之间依次移送基板的步骤中会消耗较多的时间，因此存在基板处理速度变慢的问题。

并且，现有的基板处理装置是用于维持工艺腔室60的真空度的单元，并且是在转移腔室50和各个工艺腔室60之间的连接部分别配备有闸阀G的结构。因此用于维持工艺腔室60所需的真空度的装置的构成复杂，并且因为专门地控制闸阀G，于是存在装置的维持和管理不容易的问题。

并且，现有的基板处理装置中，为了实现装载所述基板时外部空气流入到工艺腔室侧的量的最小化，构成为将吹扫气体供应到整个工艺腔室，从而导致吹扫气体的供应量过多，因此存在需要较高成本的缺点。

另外，作为关于基板处理装置的现有技术，韩国授权专利第10-1406172号中公开了一种进行回流工序的基板处理装置。回流(reflow)工序为如下的工序：将需要被焊接(soldering)的焊料供应到基板而作为半导体的后续工序，并通过加热所述焊料而借助于焊球(solder ball)电连接电子部件或布线。

在进行上述回流工序时，为了维持焊球的质量，工艺腔室内部所要求的氧气(O₂)的浓度管理非常重要，为此，在现有的基板处理装置中，在工艺腔室的前端配备有装载锁腔室。但是在专门地配备上述装载锁腔室的情况下，会导致装置的构成复杂且体积增大，因此存在无法紧凑地实现基板处理装置的问题。

发明内容

本发明为了解决上述问题而提出，其目的在于提供如下的基板处理装置及基板处理方法：通过在工艺腔室一体地构成装载锁部，简化装置的构造并减少设置空间，并可以通过减少基板的移送步骤而提高基板处理速度。