[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
| 申请号: | 201610618129.8 | 申请日: | 2016-07-29 |
| 公开(公告)号: | CN107342243B | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
| 发明(设计)人: | 朴永秀;崔宇镇;朴商弼;李东润 | 申请(专利权)人: | 系统科技公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 孙昌浩;李盛泉 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,包括:
用于在真空状态下处理基板的多个腔室,
其中,所述多个腔室中,在第一腔室(100)一体地配备有用于在与前端模块之间装载及卸载所述基板的装载锁部(100a),
在布置有所述装载锁部(100a)的第一腔室(100)的第一空间(S1)和配备于所述第一空间(S1)的下侧而与所述多个腔室连通的第一腔室(100)的第二空间(S2)在空间上彼此隔离的状态下,进行所述基板的装载和卸载,
所述多个腔室沿着圆周方向而以预定的间距布置,
在所述多个腔室之间包括为了移送所述基板而旋转的一个转台(700),
所述转台(700)包括:驱动部(710),用于提供旋转力;以及多个臂部(720),以所述驱动部(710)的旋转轴(711)为中心而以放射状连接,且数量与所述多个腔室的数量相同,
其中,在所述臂部(720)配备有用于支撑所述基板的两端的基板支撑部(730),
所述基板支撑部(730)由第一基板支撑突起(731)和第二基板支撑突起(732)构成,所述第一基板支撑突起(731)和第二基板支撑突起(732)在所述臂部(720)的两侧部底面以彼此相向的弯曲的形态形成,并在上表面放置基板(W)而提供支撑,
在所述多个腔室中进行基板的处理的期间内,所述多个臂部(720)位于所述多个腔室之间的区域。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,还包括:
基座(140),配备于所述第一腔室(100)的内部而使所述基板得到安置;
基座升降驱动部(150),通过驱动而使所述基座(140)能够进行上下移动,
其中,在所述基座(140)借助于所述基座升降驱动部(150)的驱动而向上方移动而紧贴到配备于所述第一空间(S1)与第二空间(S2)的交界的垫片部(115)的状态下,进行所述基板的装载和卸载。
3.如权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,还包括:
基板升降驱动部(160),配备有沿上下方向贯通所述基座(140)的多个升降销(161)以及提供驱动以使所述升降销(161)上下移动的基板升降缸体(162),从而支撑所述基板以使该基板能够升降。
4.如权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述装载锁部(100a)的一侧面配备有用于开闭开口部(114)的闸阀(110),所述开口部(114)用于使基板出入,
在所述装载锁部(100a)连接设置有用于使所述第一空间(S1)的真空度与所述第二空间(S2)的真空度相同的吸入部(120)。
5.如权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
在基板被装载到所述装载锁部(100a)之后,当借助于所述吸入部(120)的驱动而使所述第一空间(S1)的真空度达到所述第二空间(S2)的真空度时,安置有所述基板的基座(140)借助于所述基座升降驱动部(150)的驱动而下降移动至所述第二空间(S2)。
6.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,在所述多个腔室中的除了所述第一腔室(100)之外的其余腔室中配备有:
盖部(220),用于在进行基板处理工序的过程中密封各个腔室的内部;以及
盖升降驱动部(230),驱动所述盖部(220)以使盖部(220)能够上下移动。
7.如权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述第一腔室(100)的第二空间(S2)以及当所述盖部(220)上升移动时开放的所述多个腔室的内部空间中配备有彼此连通的基板移送空间(600c),
所述转台(700)可旋转地配备于所述基板移送空间(600c)。
8.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述第一腔室(100)的第二空间(S2)进行基板的冷却工序,
在除了所述第一腔室(100)之外的其余腔室中的一部分腔室中进行基板的加热工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





