[发明专利]基板处理装置及基板处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种基板处理装置及基板处理方法，尤其涉及一种可以通过使每两张的基板配对而同时进行处理，从而能够提高生产性的基板处理装置及基板处理方法。

背景技术

通常，在半导体基板形成有焊接突出部以连接电线、导线等。作为这种焊接部(突起部(bump))的制造过程中的一个的回流(reflow)工艺是通过使焊球、焊膏等熔融而使其紧贴于基板，并使其具有适当的外形的工艺。

在回流过程中，可以根据特定的温度氛围、大气条件以及工序时间而制作所要外形的焊接部。为了维持这种温度氛围或其他条件，不会将作为处理对象的基板取出到大气中，而已知可以利用具有连续腔室的装置而通过连续工序进行处理。

作为关于上述回流工艺的现有技术，公开有美国专利US 7,358,175号，并且用于实现它的装置US 6,827,789也被公开。并且，作为回流方法的另一实例，由本申请人申请的韩国授权专利10-1491992号和10-1406172号已被公开。

上述现有技术中提出的回流装置构成为，配备有布置成圆形的多个腔室。在一个基板被装载到多个腔室中的某一个后，依次被移送到相邻的腔室，从而进行基板的加热，并且在所述加热工序后卸载被冷却的基板。

所述多个腔室在被彼此隔离的状态下进行基板处理，并且在进行基板处理后，多个腔室成为彼此连通的状态，从而使基板被移送到相邻的腔室，然后进行下一工艺处理。可以通过依次重复上述的过程而进行针对一个基板的多个工艺处理。

在此情况下，在所述多个腔室中进行的工艺处理的处理条件和处理时间都相异。例如，对基板的加热处理时间可以被设定为，第一腔室为60秒、第二腔室为55秒、第三腔室为50秒。并且，可以构成为，所述第一腔室、第二腔室、第三腔室和第四腔室基板的最高加热温度逐渐提高，如150℃、170℃、250℃。

如上所述，各个腔室的工序时间都彼此不同，因此为了将位于各个腔室内部的基板移送至下一腔室，第二腔室和第三腔室的基板需处于等待状态直到工序时间最长的第一腔室中的基板被处理完毕，因此，生产量(throughput)以工序时间最长的第一腔室中的工序时间60秒为基准。

在通过如上所述的方法处理基板的情况下，在一个腔室中完成基板处理后，在移送至下一腔室的过程中，基板的温度会下降，因此在下一腔室中需要消耗时间以使基板的温度上升，因此在缩短基板处理时间而提高生产性的方面存在局限性。

并且，在进行热处理的基板的温度分布(profile)以斜线(slope)形状逐渐上升到220℃的情况下，对焊球的形状维持有利，但是随着进行热处理的腔室的数量如上所述地变多，温度分布成为阶段上升的形态，所以导致焊球的形状品质降低的问题。

发明内容

本发明为了解决上述诸多问题而提出，其目的在于提供如下的基板处理装置及基板处理方法：在相同工序中同时处理2个基板而最简化热处理步骤，因此能够提高生产效率。

为了解决如上所述的技术问题，本发明提供一种基板处理装置，包括：多个腔室100、200、300、400、500、600，在内部分别隔离基板而进行工艺处理；控制部，以如下方式执行控制：使所述多个腔室100、200、300、400、500、600中的2个腔室100、200；300、400；500、600分别配对而进行相同的工艺处理。

所述多个腔室100、200、300、400、500、600由依次布置成圆形的第一腔室100、第二腔室200、第三腔室300、第四腔室400、第五腔室500和第六腔室600构成，所述控制部以如下方式执行控制：使进行相同的工艺处理的2个腔室中的彼此不同的基板被分别处理后，分别被移送到相邻的2个腔室，然后进行下一工艺处理。

在所述第一腔室100和第二腔室200分别配备有冷却部，所述冷却部使即将被处理的一对基板被分别装载，并对在所述第五腔室500和第六腔室600中进行基板的加热处理后被分别移送过来的基板进行冷却，然后进行卸载。

在所述第三腔室300和第四腔室400分别配备有加热部，以对从所述第一腔室100和第二腔室200分别移送过来的一对基板进行第一次加热处理；在所述第五腔室500和第六腔室600分别配备有加热部，以对从所述第三腔室300和第四腔室400分别移送过来的一对基板进行第二次加热处理。