[发明专利]基板处理装置及基板处理方法在审
| 申请号: | 201610618085.9 | 申请日: | 2016-07-29 |
| 公开(公告)号: | CN107342242A | 公开(公告)日: | 2017-11-10 |
| 发明(设计)人: | 田银秀;金学杜;高东辰 | 申请(专利权)人: | 系统科技公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人: | 孙昌浩,李盛泉 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,包括:
多个腔室(100、200、300、400、500、600),在内部分别隔离基板而进行工艺处理;
控制部,以如下方式执行控制:使所述多个腔室(100、200、300、400、500、600)中的2个腔室(100、200;300、400;500、600)分别配对而进行相同的工艺处理。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述多个腔室(100、200、300、400、500、600)由依次布置成圆形的第一腔室(100)、第二腔室(200)、第三腔室(300)、第四腔室(400)、第五腔室(500)和第六腔室(600)构成,
所述控制部以如下方式执行控制:使进行相同的工艺处理的2个腔室中的彼此不同的基板被分别处理后,分别被移送到相邻的2个腔室,然后进行下一工艺处理。
3.如权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述第一腔室(100)和第二腔室(200)分别配备有冷却部,
所述冷却部使即将被处理的一对基板被分别装载,并对在所述第五腔室(500)和第六腔室(600)中进行基板的加热处理后被分别移送过来的基板进行冷却,然后进行卸载。
4.如权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述第三腔室(300)和第四腔室(400)分别配备有加热部,以对从所述第一腔室(100)和第二腔室(200)分别移送过来的一对基板进行第一次加热处理;
在所述第五腔室(500)和第六腔室(600)分别配备有加热部,以对从所述第三腔室(300)和第四腔室(400)分别移送过来的一对基板进行第二次加热处理。
5.如权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,具有:
转台,进行旋转以在所述第一腔室至第六腔室(100、200、300、400、500、600)之间移送所述基板;
所述转台进行旋转以实现如下目的:使在各个腔室的内部得到工艺处理的基板跨过与之相邻的腔室,然后被移送至下一腔室。
6.如权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,所述控制部以如下方式控制所述转台:
使所述转台每次旋转120度,以将位于所述第一腔室至第六腔室(100、200、300、400、500、600)内部的基板移送至用于进行下一工序的腔室。
7.一种基板处理方法,在多个腔室(100、200、300、400、500、600)中分别隔离所述基板的状态下进行工艺处理,该方法包括以下步骤:
a)使所述多个腔室(100、200、300、400、500、600)以2个腔室配对的方式进行针对所述基板的相同的工艺处理;
b)在所述a)步骤中完成工艺处理的一对基板被分别移送到相邻的其他2个腔室,然后进行另外的工艺处理。
8.如权利要求7所述的基板处理方法,其特征在于,
所述多个腔室(100、200、300、400、500、600)由依次布置成圆形的第一腔室(100)、第二腔室(200)、第三腔室(300)、第四腔室(400)、第五腔室(500)和第六腔室(600)构成,
被装载到所述第一腔室(100)和第二腔室(200)的一对基板分别被移送到所述第三腔室(300)和第四腔室(400),然后进行第一次加热处理,
在所述第三腔室(300)和第四腔室(400)中完成第一次加热处理的所述一对基板分别被移送到所述第五腔室(500)和第六腔室(600),然后进行第二次加热处理,
在所述第五腔室(500)和第六腔室(600)中完成第二次加热处理的所述一对基板分别被移送到所述第一腔室(100)和第二腔室(200)而得到冷却,然后被卸载。
9.如权利要求8所述的基板处理方法,其特征在于,
在所述第一腔室(100)和第二腔室(200)配备有基座,该基座用于安置所述基板,并具有用于冷却所述基板的冷却部,
冷却所述基板的冷却过程由第一冷却过程和第二冷却过程构成,所述第一冷却过程在所述基板的底面从所述基座向上侧隔离的状态下执行冷却,所述第二次冷却过程则在所述第一冷却过程过后在接触到所述基座的上表面的状态下执行冷却。
10.如权利要求7所述的基板处理方法,其特征在于,还包括以下步骤:
在所述第三腔室(300)和第四腔室(400)中,在将所述基板加热至第一设定温度之后,维持设定时间,
在所述第五腔室(500)和第六腔室(600)中,在将所述基板加热至高于所述第一设定温度的第二设定温度之后,维持设定时间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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