[发明专利]晶片冷却方法和晶片冷却设备

说明书

本发明公开了一种晶片冷却方法和晶片冷却设备。该晶片冷却方法用于对完成工艺加工的晶片在冷却区域中进行去气冷却，所述冷却区域中设置有冷却槽，根据参与工艺的指定工艺腔室数量、单片晶片的工艺加工时间以及冷却时间在所述冷却槽中选择用于放置晶片的预定槽，所述预定槽均匀分布在所述冷却区域中。本发明提供的方法解决的一个技术问题是减轻冷却槽被污染的程度。

技术领域

本发明属于半导体晶片冷却技术领域，具体地，本发明涉及一种晶片冷却方法和晶片冷却设备。

背景技术

在半导体晶片冷却领域中，常用的半导体晶片冷却工艺包括气相沉积、溅射等工艺。上述加工工艺一般需要对温度、气压、气氛等环境条件进行控制，所以均在工艺腔室中进行。半导体晶片在完成加工工序后需要进行冷却，待恢复到室温后才能进行后续的封装装配等工序。

本领域技术人员通常在加工设备上提供专用的冷却站，用于收纳半导体晶片。一方面，冷却站为完成加工后的晶片提供冷却场所，晶片会被输送到冷却站中进行冷却，待冷却至正常室温后再从其中取出。以干法去胶等高温工艺为例，加工过程中基座的温度一般达到200摄氏度以上。此时，如果将完成工艺的晶片从工艺腔室中取出直接传送回晶盒中，易对晶盒造成损伤。所以，在传送回晶盒之前进行冷却是必要的。另一方面，冷却室通常还具有通风换气的功能，能够带走附着在晶片表面的加工残气。以气相沉积类的工艺为例，将完成加工的晶片从工艺腔室中送出时，晶片会带出一些吸附在其表面上的工艺气体，这些工艺气体为反应气体或反应产物。如果直接将晶片输送回晶盒，晶片周围的工艺气体会对晶盒造成污染，进而影响收纳在晶盒中的晶片的良率。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种晶片冷却的新技术方案。

根据本发明的第一方面，提供了一种晶片冷却方法，用于对完成工艺加工的晶片在冷却区域中进行去气冷却，其特征在于，所述冷却区域中设 置有冷却槽，根据参与工艺的指定工艺腔室数量、单片晶片的工艺加工时间以及冷却时间在所述冷却槽中选择用于放置晶片的预定槽，所述预定槽均匀分布在所述冷却区域中。

可选地，所述冷却槽中依次排列设置在所述冷却区域中，从冷却区域中间的冷却槽开始选择一个或向两侧依次选择相互间隔的多个冷却槽作为预定槽；

或者，选择全部冷却槽作为预定槽。

可选地，指定工艺腔室的数量为1个，单片晶片的工艺加工时间大于冷却时间，则选择位于冷却区域中间的一个冷却槽作为所述预定槽；

或者，指定工艺腔室的数量为1个，单片晶片的工艺加工时间小于冷却时间，则选择相互间隔的至少2个冷却槽作为预定槽。

可选地，单片晶片的工艺加工时间为冷却时间的三分之一，则选择3个冷却槽作为预定槽。

可选地，指定工艺腔室的数量为2个，单片晶片的工艺加工时间等于冷却时间，则选择2个相互间隔的冷却槽作为预定槽。

可选地，所述冷却区域中共设置有7个冷却槽，指定工艺腔室的数量为1个，单片晶片的加工时间是冷却时间的五分之一，则全部冷却槽都作为预定槽。

可选地，所述冷却区域中共设置有7个冷却槽，则选择相互间隔的4个、3个或2个冷却槽作为预定槽。

可选地，需冷却的晶片数量与参与工艺的指定工艺腔室数量相同。

本发明还提供了一种用于上述方法的晶片冷却设备，包括：

用于提供冷却区域的冷却装置，所述冷却装置中设置有冷却槽；

控制模块，所述控制模块配置为用于根据参与工艺的指定工艺腔室数量、单片晶片的工艺加工时间以及冷却时间在冷却槽中选择用于放置晶片的预定槽，所述预定槽均匀分布在所述冷却区域中。