[发明专利]晶片冷却方法和晶片冷却设备

权利要求书

1.一种晶片冷却方法，用于对完成工艺加工的晶片在冷却区域中进行去气冷却，其特征在于，所述冷却区域中设置有冷却槽，根据参与工艺的指定工艺腔室数量、单片晶片的工艺加工时间以及冷却时间在所述冷却槽中选择用于放置晶片的预定槽，所述预定槽均匀分布在所述冷却区域中。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述冷却槽中依次排列设置在所述冷却区域中，从冷却区域中间的冷却槽开始选择一个或向两侧依次选择相互间隔的多个冷却槽作为预定槽；

或者，选择全部冷却槽作为预定槽。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，指定工艺腔室的数量为1个，单片晶片的工艺加工时间大于冷却时间，则选择位于冷却区域中间的一个冷却槽作为所述预定槽；

或者，指定工艺腔室的数量为1个，单片晶片的工艺加工时间小于冷却时间，则选择相互间隔的至少2个冷却槽作为预定槽。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，单片晶片的工艺加工时间为冷却时间的三分之一，则选择3个冷却槽作为预定槽。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，指定工艺腔室的数量为2个，单片晶片的工艺加工时间等于冷却时间，则选择2个相互间隔的冷却槽作为预定槽。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述冷却区域中共设置有7个冷却槽，指定工艺腔室的数量为2个，单片晶片的加工时间是冷却时间的四分之一，则全部冷却槽都作为预定槽。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述冷却区域中共设置有7个冷却槽，则选择相互间隔的4个、3个或2个冷却槽作为预定槽。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，需冷却的晶片数量与参与工艺的指定工艺腔室数量相同。

9.一种用于权利要求1-8任意之一所述方法的晶片冷却设备，包括：

用于提供冷却区域的冷却装置，所述冷却装置中设置有冷却槽；

控制模块，所述控制模块配置为用于根据参与工艺的指定工艺腔室数量、单片晶片的工艺加工时间以及冷却时间在冷却槽中选择用于放置晶片的预定槽，所述预定槽均匀分布在所述冷却区域中。

10.根据权利要求9所述的晶片冷却设备，其特征在于，所述冷却槽中依次排列设置在所述冷却装置中，所述控制模块配置为从冷却区域中间的冷却槽开始选择一个或向两侧依次选择相互间隔的多个冷却槽作为预定槽；

或者，选择全部冷却槽作为预定槽。