[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

一半导体晶粒，其具有一顶端晶粒侧、包括一晶粒钝化层和透过所述晶粒钝化层所曝露的焊垫的一底部晶粒侧以及介于顶端及底部晶粒侧之间的横向晶粒侧；

一介电层，其具有耦接至所述底部晶粒侧的一顶端介电层侧、一底部介电层侧以及介于顶端及底部介电层侧之间的横向介电层侧；

一金属柱，其具有附接至所述焊垫的一顶端柱侧、一底部柱侧以及介于顶端及底部柱侧之间的一横向柱表面，其中所述金属柱从所述焊垫垂直地穿过所述介电层而延伸至所述底部介电层侧；以及

一封装材料，其接触及围绕所述横向晶粒侧以及所述横向介电层侧，并且覆盖所述顶端晶粒侧，所述封装材料具有一顶端囊封剂侧、一底部囊封剂侧以及介于顶端及底部囊封剂侧之间的横向囊封剂侧，

其中所述横向晶粒侧中的每一个与所述横向介电层侧中的一个共平面，并且

其中所述封装材料只包含单一连续层，并且至少一个所述横向囊封剂侧包含所述半导体装置的外部周边表面。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，包括一扇出重分布结构，所述扇出重分布结构是耦接至所述底部介电层侧以及所述底部囊封剂侧，并且连接至所述底部柱侧，其中所述扇出重分布结构包含重分布介电层，所述重分布介电层直接耦接到所述底部介电层侧和所述底部囊封剂侧，并且所述扇出重分布结构的导电层没有直接接触所述底部囊封剂侧。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述晶粒钝化层覆盖所述焊垫的底侧的一部分；并且

所述介电层的一部分是横向地直接在所述金属柱和所述晶粒钝化层之间。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，介于所述半导体晶粒与所述重分布结构之间的容积并没有横向信号布线。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述底部柱侧是与所述底部介电层侧以及所述底部囊封剂侧共平面，并且包含重分布结构，所述重分布结构包括顶端重分布介电层，所述顶端重分布介电层耦接到所述底部囊封剂侧以及到所述底部介电层侧；以及

顶端重分布导电结构，所述顶端重分布导电结构包括：

顶端重分布通孔部分，所述顶端重分布通孔部分只垂直地延伸穿所述顶端重分布介电层并且包括一顶表面，所述顶表面是透过不超过一个的中间导电层而连接至所述底部柱侧，以及

在所述顶端重分布介电层的底部侧上的第二重分布导电部分，其中所述第二重分布导电部分从所述顶端重分布通孔部分的底部末端延伸并且横向地远离所述金属柱而朝向在所述半导体晶粒的覆盖区之外的位置。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述底部介电层侧与所述底部囊封剂侧共平面。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，包括：

晶种层，所述晶种层在所述顶端柱侧和所述焊垫之间；以及

蚀刻底切，所述蚀刻底切在所述顶端柱侧和所述焊垫之间的所述晶种层中。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述顶端囊封剂侧包括在所述半导体晶粒的覆盖区之外的一沟槽。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，所述沟槽包括低于所述顶端晶粒侧的一底端。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，包括在所述沟槽中的一填充材料。

11.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，所述沟槽横向地围绕所述晶粒的覆盖区。