[发明专利]半导体芯片及半导体装置

说明书

一种半导体装置包含衬底主体、多个第一凸块衬垫和再分布层RDL。所述第一凸块衬垫邻近于所述衬底主体的表面而安置，所述第一凸块衬垫中的每一者具有来自俯视图的第一构型，所述第一构型具有沿着第一方向的第一宽度和沿着垂直于所述第一方向的第二方向的第二宽度，且所述第一构型的所述第一宽度大于所述第一构型的所述第二宽度。所述RDL邻近于所述衬底主体的所述表面而安置，且所述RDL包含安置于两个第一凸块衬垫之间的第一部分。

技术领域

本发明涉及一种半导体芯片、一种半导体装置及其制造方法，且更明确地说涉及一种半导体芯片和一种能够在所述半导体芯片下方布设再分布层(RDL)的半导体装置，及其制造方法。

背景技术

常规半导体封装可包含衬底和安置在衬底上的半导体芯片。衬底可包含RDL和凸块衬垫。半导体芯片可包含接合到衬底的芯片接合区域中的凸块衬垫的支柱。RDL可需要绕过芯片接合区域或远离芯片接合区域布设，以避免RDL与芯片接合区域中的凸块衬垫之间的短路。然而，此配置可导致RDL中增加的路径长度和增加的阻抗，且因此不利地影响半导体封装内电路的性能。

发明内容

在一方面中，一种半导体芯片包含芯片主体、至少一个第一支柱和至少一个第二支柱。第一支柱邻近于芯片主体的表面而安置。第一支柱具有来自仰视图的第一构型，所述第一构型具有沿着第一方向的第一宽度和沿着垂直于所述第一方向的第二方向的第二宽度，且所述第一构型的所述第一宽度大于所述第一构型的所述第二宽度。第二支柱邻近于芯片主体的表面而安置，所述第二支柱具有来自仰视图的第二构型，且所述第一构型的形状不同于所述第二构型的形状。

在一方面中，一种半导体装置包含一衬底主体、多个第一凸块衬垫和一RDL。第一凸块衬垫邻近于衬底主体的表面而安置，所述第一凸块衬垫中的每一者具有来自俯视图的第一构型，所述第一构型具有沿着第一方向的第一宽度和沿着垂直于所述第一方向的第二方向的第二宽度，且所述第一构型的第一宽度大于所述第一构型的第二宽度。RDL邻近于衬底主体的表面而安置，且RDL包含安置于两个第一凸块衬垫之间的第一部分。

在一方面中，一种半导体装置包含衬底主体、衬底主体上的芯片接合区域，和RDL。RDL邻近于衬底主体的的表面而安置。RDL包含安置在芯片接合区域内的第一部分和安置在芯片接合区域外部的第二部分。第一部分的宽度小于第二部分的宽度。

在一方面中，一种制造方法包含：(a)提供衬底主体，所述主体包含邻近于其表面的衬垫；(b)形成邻近于衬底主体的表面且覆盖衬垫的光致抗蚀剂层；(c)在所述光致抗蚀剂层中形成第一开口和第二开口以暴露所述衬垫，其中第二开口的形状不同于第一开口的形状，且第二开口中的每一者的横截面面积大体上等于第一开口中的每一者的横截面面积；(d)用金属同时填充所述第一开口和所述第二开口；以及(e)移除所述光致抗蚀剂层。

附图说明

图1说明根据本发明的实施例的半导体芯片的仰视图。

图2说明根据本发明的实施例的图1中展示的区A1的放大视图。

图3说明根据本发明的实施例的图2中展示的区A1的横截面图。

图4说明根据本发明的实施例的半导体装置的俯视图。

图5说明根据本发明的实施例的图4中展示的区A4的放大视图。

图6说明根据本发明的实施例的图5中展示的区A4的横截面图。

图7说明根据本发明的实施例的图5中展示的区A4的横截面图。

图8说明半导体封装的俯视图。

图9说明根据本发明的实施例的半导体装置的俯视图。

图10说明根据本发明的实施例的图9中展示的区A9的放大视图。