[发明专利]IBC电池、电池组及制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种IBC电池、电池组及制备方法。

背景技术

太阳能发电技术是新能源发展的一个重要领域，提高太阳能电池板的单位面积输出功率是太阳能电池技术进步的最终目标。决定太阳能电池片转换效率的主要电学参数有短路电流、开路电压和填充因子。IBC电池在电池受光面没有金属电极的存在，能够完全消除正面的光学损失，增大短路电流，所有的电极在电池背面呈交叉指撞的分布，较大的金属化面积提升了电池填充因子，而良好的钝化工艺能够提升电池的开路电压。

在将电池片串联制造成组件后，最终能得到一块完整的太阳能电池面板。因为在电池片串联的过程中需要用焊带将电池片连接起来，焊带本身的电阻（R）会带来一部分电性能的损失，在相同的焊接条件下，电池串组电压越大，电流越小，焊带所带来的损失（I²R）就会越小，因此在常规太阳能电池工艺中就已经出现了半片工艺，即对普通电池片采用激光切割技术，切成两片大小一样的电池片，进行串联，从而使得一片电池片变为两片串联的半片电池片，使得开压提升一倍，电流降低一半，再用若干切割好的电池片封装成组件可以实现高电压，低电流的输出从而降低焊带等带来的电阻损失。但此种技术需要额外的激光设备进行切片，增加了额外的工艺、设备提升成本，并且激光切割工艺本身也会给电池片带来额外的损伤，降低电池的电性能。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种IBC电池、电池组及制备方法，所述IBC电池在保持电池光电转换效率的前提下，增加了电池开压，减小电流，有利于减小组件封装中由于焊带电阻带来的功率损失。

为解决上述技术问题，本发明所采取的技术方案是：一种IBC电池，其特征在于：包括N型硅片，所述N型硅片的背光面被等分为上下两部分，每部分内设有一行若干列P型掺杂区域，P型掺杂区域之间或P型掺杂区域与所述硅片的边沿之间设有一个N型掺杂区域，形成交替相邻的P型掺杂区域和N型掺杂区域，其中上半部分每个P型掺杂区域上的主栅区域与与之对应的下半部分N型掺杂区域上的主栅区域在同一条直线上，上半部分每个N型掺杂区域上的主栅区域与与之对应的下半部分P型掺杂区域上的主栅区域在同一条直线上，上半部分中每个掺杂区域与与之对应的下半部分中的掺杂区域通过同一条主栅线连接，每条主栅线上设有若干条副栅线，用于连接掺杂区域上的副栅区域。

进一步的技术方案在于：所述P型掺杂区域和N型掺杂区域沿所述N型硅片的前后方向延伸。

进一步的技术方案在于：位于N型硅片左右边缘的P型掺杂区域和N型掺杂区域为单齿梳状，位于N型硅片左右边缘之间的P型掺杂区域和N型掺杂区域为双齿梳状，P型掺杂区域的齿梳插入到N型掺杂区域齿梳之间的空隙，并与其保持间隔设置。

本发明还公开了一种IBC电池组，其特征在于：包括若干个所述的IBC电池，每两个IBC电池上下相邻的两个部分之间通过焊带进行连接，其中第一焊带和第二焊带间隔的设置于两块电池相邻部分的主栅线上，且第一焊带和第二焊带通过一条主焊带连接。

进一步的技术方案在于：所述第一焊带和第二焊带位于所述电池的上半部分或下半部分内。

本发明还公开了一种IBC电池制备方法，其特征在于包括如下步骤：

在N型硅片的双面生长一定厚度的掩膜层；

将N型硅片的背光面等分为上下两部分，对背光面要进行硼扩散的区域去除掩膜层；

在上述去除掩膜层的硼扩散区域进行硼扩散，形成若干个独立的P型掺杂区域，形成P-N结，然后继续生长一层一定厚度的掩膜层，每部分内设有一行若干列P型掺杂区域；

去除P型掺杂区域之间相应位置处的掩膜层，使需要进行磷掺杂区域的硅片暴露出来；

对上述暴露出来的区域进行单面磷扩散，在P型掺杂区域之间形成N型掺杂区域，其中上半部分每个P型掺杂区域上的主栅区域与与之对应的下半部分N型掺杂区域上的主栅区域在同一条直线上，上半部分每个N型掺杂区域上的主栅区域与与之对应的下半部分P型掺杂区域上的主栅区域在同一条直线上；

去除整个硅片上的掩膜层，使用金属化浆料在P型掺杂区域和N型掺杂区域的主栅区域和副栅区域上形成主栅线和副栅线。

进一步的技术方案在于：所述掩膜层的制备材料为氧化硅。

进一步的技术方案在于：通过腐蚀或刻蚀的方法去除硼扩散区域和磷扩散区域的掩膜层。

进一步的技术方案在于：在除去整个硅片上的掩膜层后还进行硅片双面沉积氮化硅薄膜的步骤。