[发明专利]IBC电池、电池组及制备方法

权利要求书

1.一种IBC电池，其特征在于：包括N型硅片（1），所述N型硅片（1）的背光面被等分为上下两部分，每部分内设有一行若干列P型掺杂区域（2），P型掺杂区域（2）之间或P型掺杂区域（2）与所述硅片的边沿之间设有一个N型掺杂区域（3），形成交替相邻的P型掺杂区域（2）和N型掺杂区域（3），其中上半部分每个P型掺杂区域（2）上的主栅区域与与之对应的下半部分N型掺杂区域（3）上的主栅区域在同一条直线上，上半部分每个N型掺杂区域（3）上的主栅区域与与之对应的下半部分P型掺杂区域（2）上的主栅区域在同一条直线上，上半部分中每个掺杂区域与与之对应的下半部分中的掺杂区域通过同一条主栅线（4）连接，每条主栅线（4）上设有若干条副栅线（5），用于连接掺杂区域上的副栅区域。

2.如权利要求1所述的IBC电池及其制备方法，其特征在于：所述P型掺杂区域（2）和N型掺杂区域（3）沿所述N型硅片（1）的前后方向延伸。

3.如权利要求2所述的IBC电池及其制备方法，其特征在于：位于N型硅片（1）左右边缘的P型掺杂区域（2）和N型掺杂区域（3）为单齿梳状，位于N型硅片（1）左右边缘之间的P型掺杂区域（2）和N型掺杂区域（3）为双齿梳状，P型掺杂区域（2）的齿梳插入到N型掺杂区域（3）齿梳之间的空隙，并与其保持间隔设置。

4.一种IBC电池组，其特征在于：包括若干个如权利要求1-3中任意一项所述的IBC电池（6），每两个IBC电池（6）上下相邻的两个部分之间通过焊带进行连接，其中第一焊带（7）和第二焊带（8）间隔的设置于两块电池相邻部分的主栅线（4）上，且第一焊带（7）和第二焊带（8）通过一条主焊带（9）连接。

5.如权利要求4所述的IBC电池组，其特征在于：所述第一焊带（7）和第二焊带（8）位于所述电池的上半部分或下半部分内。

6.一种IBC电池制备方法，其特征在于包括如下步骤：

在N型硅片（1）的双面生长一定厚度的掩膜层；

将N型硅片（1）的背光面等分为上下两部分，对背光面要进行硼扩散的区域去除掩膜层；

在上述去除掩膜层的硼扩散区域进行硼扩散，形成若干个独立的P型掺杂区域（2），形成P-N结，然后继续生长一层一定厚度的掩膜层，每部分内设有一行若干列P型掺杂区域（2）；

去除P型掺杂区域（2）之间相应位置处的掩膜层，使需要进行磷掺杂区域的硅片暴露出来；

对上述暴露出来的区域进行单面磷扩散，在P型掺杂区域（2）之间形成N型掺杂区域（3），其中上半部分每个P型掺杂区域上的主栅区域与与之对应的下半部分N型掺杂区域上的主栅区域在同一条直线上，上半部分每个N型掺杂区域上的主栅区域与与之对应的下半部分P型掺杂区域上的主栅区域在同一条直线上；

去除整个硅片上的掩膜层，使用金属化浆料在P型掺杂区域和N型掺杂区域的主栅区域和副栅区域上形成主栅线（4）和副栅线（5），上半部分中每个掺杂区域与与之对应的下半部分中的掺杂区域通过同一条主栅线（4）连接。

7.如权利要求6所述的IBC电池制备方法，其特征在于：所述掩膜层的制备材料为氧化硅。

8.如权利要求6所述的IBC电池制备方法，其特征在于：通过腐蚀或刻蚀的方法去除硼扩散区域和磷扩散区域的掩膜层。

9.如权利要求6所述的IBC电池制备方法，其特征在于：在除去整个硅片上的掩膜层后还进行硅片双面沉积氮化硅薄膜的步骤。

10.如权利要求6所述的IBC电池制备方法，其特征在于：位于N型硅片（1）左右边缘的P型掺杂区域（2）和N型掺杂区域（3）为单齿梳状，位于N型硅片（1）中部的P型掺杂区域（2）和N型掺杂区域（3）为双齿梳状，P型掺杂区域（2）的齿梳插入到N型掺杂区域齿梳（3）之间的空隙，并与其保持间隔设置。