[发明专利]存储器装置

权利要求书

1.一种存储器装置，其特征在于具备：

半导体柱，在与衬底表面垂直的方向上延伸；

第1存储器单元，包含设置在第1字线与所述半导体柱的侧面之间的第1存储器膜；

第2存储器单元，包含设置在第2字线与所述半导体柱的侧面之间的第2存储器膜；及

控制器，控制对所述第1及第2存储器单元的动作；且

在对所述第1存储器单元的读出动作中，

在对所述第1字线施加具有正的电压值的读出电压、且对所述第2字线施加具有正的电压值的非选择电压的第1动作之后，

执行第2动作，所述第2动作是以使所述第2字线的电位低于所述半导体柱的电位的方式，对所述第2字线施加具有负的电压值的第1电压。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于：

还具备与所述半导体柱连接的配线，

在执行所述第2动作的期间，将接地电压经由所述配线施加至所述半导体柱。

3.根据权利要求1或2所述的存储器装置，其特征在于：

还具备第3存储器单元，所述第3存储器单元包含设置在第3字线与所述半导体柱的侧面之间的第3存储器膜，

在与所述衬底表面垂直的方向上，所述第1字线位于所述第2字线与所述第3字线之间，

所述第2字线位于比所述第1字线更靠所述衬底侧，

所述第3字线位于比所述第1字线更靠所述衬底侧的相反侧，

在将所述读出电压施加至所述第1字线的期间，将所述非选择电压施加至所述第3字线，

在将所述第1电压施加至所述第2字线的期间，将具有负的电压值的第3电压施加至所述第3字线，

所述第1电压的电压值的绝对值大于所述第3电压的电压值的绝对值。

4.根据权利要求1或2所述的存储器装置，其特征在于：

在所述控制器接收到第1指令的情况下，执行包含所述第1及第2动作的第1读出动作，

在所述控制器接收到第2指令的情况下，执行包含所述第1动作且不包含所述第2动作的第2读出动作，

在所述第1读出动作时的第1期间，将就绪/忙碌信号设定为第1电平，

在所述第2读出动作时的第2期间，将所述就绪/忙碌信号设定为所述第1电平；

所述第2期间比所述第1期间短。

5.一种存储器装置，其特征在于具备：

半导体柱，在与衬底的表面垂直的方向上延伸；

第1存储器单元，包含设置在第1字线与所述半导体柱的侧面之间的第1存储器膜；

第2存储器单元，包含设置在第2字线与所述半导体柱的侧面之间的第2存储器膜；

第1配线，与所述半导体柱的一端连接；

第2配线，与所述半导体柱的另一端连接；及

控制器，控制对所述第1及第2存储器单元的动作；且

在对所述第1存储器单元的读出动作中，

在对所述第1字线施加读出电压、对所述第2字线施加非选择电压、对所述第1配线施加具有正的电压值的第1电压、且对所述第2配线施加具有正的电压值的第2电压的第1动作之后，

执行对所述第1字线及所述第2字线施加具有接地电位的第3电压的第2动作，

在所述第2动作之后，执行第3动作，所述第3动作是：以使所述第2字线的电位低于所述半导体柱的电位的方式，对所述第2字线施加具有所述接地电位的第4电压、对所述第1配线施加高于所述第1电压的第5电压、对所述第2配线施加高于所述第2电压的第6电压、经由所述第1配线对所述半导体柱施加具有正的电压值的第7电压。