[发明专利]一种离子注入能量测试结构及测试方法、电子装置在审
| 申请号： | 201610565429.4 | 申请日： | 2016-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN107634013A | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 孟丽华;王兴;李洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 能量 测试 结构 方法 电子 装置 | ||
1.一种离子注入能量测试结构，其特征在于，所述测试结构包括：
半导体衬底，具有第一导电类型；
第二注入区域，位于所述半导体衬底中，具有第二导电类型；
第一注入区域，位于所述第二注入区域中，具有第一导电类型；
其中，所述半导体衬底和所述第二注入区域电连接至接地端，所述第一注入区域上施加有应力电流。
2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第二注入区域的顶部与所述第一注入区域的顶部平齐，并且所述第一注入区域顶部以下的部分被所述第二注入区域包围。
3.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第二注入区域的顶部与所述半导体衬底的顶部平齐，并且所述第二注入区域顶部以下的部分被所述半导体衬底包围。
4.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构包括第一焊盘、第二焊盘和第三焊盘；
其中，所述第一焊盘的一端电连接至所述第一注入区域，所述第一焊盘的另一端上施加有所述应力电流；
所述第二焊盘的一端电连接至所述第二注入区域，所述第二焊盘的另一端电连接至所述接地端；
所述第三焊盘的一端电连接至所述半导体衬底，所述第三焊盘的另一端电连接至所述接地端。
5.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。
6.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括基准结，所述基准结的注入能量为基准能量并且所述基准结具有基准电阻。
7.一种基于权利要求1至6之一所述测试结构的测试方法，其特征在于，所述方法包括：
将所述半导体衬底和所述第二注入区域电连接至接地端，并在所述第一注入区域上施加应力电流；
测试所述第一注入区域和所述第二注入区域形成的结的电阻，并根据所述电阻分析离子注入能量。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，当所述电阻大于基准电阻时，所述结远离所述半导体衬底的表面，所述第一注入区域中离子注入的能量大于基准能量。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，当所述电阻小于基准电阻时，所述结靠近所述半导体衬底的表面，所述第一注入区域中离子注入的能量小于基准能量。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述电阻的测试方法包括：
测试所述第二离子注入区域上的电压，根据所述电压和所述应力电流计算所述电阻。
11.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求1至6之一所述的测试结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
