[发明专利]连续逼近暂存器模拟数字转换器及其模拟至数字信号转换方法有效

专利信息
申请号: 201610559780.2 申请日: 2016-07-15
公开(公告)号: CN107493104B 公开(公告)日: 2020-11-27
发明(设计)人: 陈志龙;黄诗雄 申请(专利权)人: 瑞昱半导体股份有限公司
主分类号: H03M1/46 分类号: H03M1/46;H03M1/10
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 李昕巍;章侃铱
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 连续 逼近 暂存器 模拟 数字 转换器 及其 数字信号 转换 方法
【说明书】:

一种连续逼近暂存器模拟数字转换器,包含:一比较器,用来依据一模拟信号产生一比较值;一连续逼近暂存器,耦接该比较器,包含N个记忆单元,各记忆单元储存一控制值,该N个控制值是与该比较值有关,N为大于2的整数;以及一热码编码数字模拟转换器,耦接该比较器及该连续逼近暂存器,用来产生该模拟信号,包含N个电容,该N个电容分别耦接该N个记忆单元,该N个电容的N个端电压分别受该N个控制值控制。

技术领域

发明涉及模拟数字转换器(analog-to-digital converter,ADC),尤其涉及连续逼近暂存器(successive approximation register,SAR)ADC及其模拟至数字信号转换方法。

背景技术

图1是现有SAR ADC的功能方法图。SAR ADC用来将模拟输入信号Vi转换成数字信号(由多个数字码B所组成)。SAR ADC主要包含数字模拟转换器(digital-to-analogconverter,DAC)110、比较器120及连续逼近暂存器130。在SAR ADC的某一次操作中,连续逼近暂存器130依据比较器120的比较结果,决定数字码B的其中一位元的值(1/0)。DAC 110依据该次决定的位元值改变其内部电容的端电压(控制电容的其中一端耦接至地或参考信号Vref),使电容上的电荷重新分布,进而改变比较器120的反相输入端及非反相输入端的电平,以改变SAR ADC下一个操作的比较对象。重复上述的步骤,数字码B由最高有效位元(MSB)往最低有效位元(LSB)依序被决定,过程中数字码B所代表的值也渐渐往输入信号Vi逼近。

一般而言,DAC 110通常以二进位(binary)的方式实作其内部电容的切换机制。但DAC 110中非理想的电容值会造成SAR ADC的错误率增加,使得SAR ADC的积分非线性误差(integral nonlinearity,INL)及微分非线性误差(differential nonlinearity,DNL)提高,尤其是对应高位元的电容的电容值不准确时,SAR ADC的效能所受的影响更大。热码编码(thermometer-coded,亦称为温度码编码)DAC有助于缓和不准确的电容值所带来的不良影响。图2为现有使用热码编码DAC的SAR ADC的电路图。图2的SAR ADC为5位元(B0~B4,B0为LSB,B4为MSB)。DAC 110包含5个电容C1~C5,其中电容C1~C2属于二进位DAC 111,而电容C3~C5属于热码编码DAC 112。电容C1~C5的其中一端互相耦接,作为DAC 110的输出(输出模拟信号SA);另一端各耦接至缓冲单元113-1~113-5,缓冲单元113-1~113-5分别用来输出电容C1~C5所应耦接的电压。连续逼近暂存器130包含4个暂存器135-1~135-4,各暂存1个控制值。4个暂存器135-1~135-4的4个控制值依据比较器120的比较值决定。此4个暂存器135所储存的控制值控制缓冲单元113的输出电压。使用热码编码DAC 112时DAC 110还必须包含二进位码至热码解码器114,以将暂存器135-3及135-4的控制值(即SAR ADC的最高二位元值)由二进位码转换为热码,以控制缓冲单元113-3~113-5。开关140为取样输入信号Vi之用。

在SAR ADC中,比较器120的比较操作与DAC 110的电容切换操作高速地交替进行,如果DAC 110的电容耦接缓冲单元113的一端能愈快到达目标电压值,则下一个比较操作时比较器120所输出的比较值就愈准确。因此比较器120的输出到电容C1~C5的端点间的路径(包含暂存器135及缓冲单元113)对SAR ADC而言相当关键,此路径上的元件愈少(亦即信号在此路径上的延迟时间愈短),意谓着SAR ADC愈稳定且愈准确。然而,二进位码至热码解码器114由多个逻辑闸所组成,无疑会增加关键路径上的元件数,造成SAR ADC的效能降低。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞昱半导体股份有限公司,未经瑞昱半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610559780.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top