[发明专利]一种基于共源电阻技术的磁性随机存取存储器及其共源结构制造工艺

权利要求书

1.一种基于共源电阻技术的磁性随机存取存储器，其特征在于包括：存储单元、有源区、多晶体栅极、后段金属与前段器件连接孔、第一层金属、第二层金属、磁性隧道结、浅沟道隔离；浅沟道隔离设于有源区两侧；多晶体栅极设于有源区上方，将有源区分为源极与漏极；所述浅沟道隔离与有源区源极的相连部分为离子半导体电阻；漏极通过后段金属与前段器件连接孔与第一层金属相连；所述相邻源极通过离子半导体电阻互联，呈共源极结构；源极每隔若干存储单元后通过后段金属与前段器件连接孔与第一层金属相连；第二层金属通过磁性隧道结连接在第一层金属上方。

2.根据权利要求1所述的一种基于共源电阻技术的磁性随机存取存储器，其特征在于：所述的第一层金属、第二层金属带有金属走线。

3.根据权利要求2所述的一种基于共源电阻技术的磁性随机存取存储器，其特征在于：所述金属走线的材质为铜，铝，金，银，钨，钽中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的一种基于共源电阻技术的磁性随机存取存储器，其特征在于：所述的源极每隔2ⁿ个存储单元后通过后段金属与前段器件连接孔与第一层金属的金属走线相连；作为优选，每隔16个存储单元。

5.根据权利要求1所述的一种基于共源电阻技术的磁性随机存取存储器，其特征在于：所述的源极带有源极线；漏极带有位线。

6.根据权利要求1所述的一种基于共源电阻技术的磁性随机存取存储器，其特征在于：所述的多晶体栅极带有字线。

7.一种基于共源电阻技术的磁性随机存取存储器的共源结构制造工艺，其特征在于，包括如下步骤：

1)利用共源极光刻打开所有需要互联的源极区域，其余部分全覆盖光刻胶；

2)对浅沟道隔离层与有源区源极的相连部分进行刻蚀，去除浅沟道隔离层中的氧化物，露出硅衬底；

3)在步骤2)刻蚀完的区域进行离子注入，与露出的硅衬底共同形成电阻；

4)按照正常的MOS流程进行后续的工艺流程。

8.根据权利要求7所述的一种基于共源电阻技术的磁性随机存取存储器的共源结构制造工艺，其特征在于，所述步骤2)刻蚀去除浅沟道隔离层中的氧化物的方法为反应离子刻蚀、湿法刻蚀中的任意一种，作为优选，采用反应离子刻蚀方法。