[发明专利]封装基板制作方法在审
申请号: | 201610543293.7 | 申请日: | 2016-07-12 |
公开(公告)号: | CN107611035A | 公开(公告)日: | 2018-01-19 |
发明(设计)人: | 赵裕荧;曾信得;王音统 | 申请(专利权)人: | 欣兴电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司11279 | 代理人: | 王正茂,丛芳 |
地址: | 中国台湾桃园市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 制作方法 | ||
1.一种封装基板制作方法,其特征在于,包含:
提供载板,其中所述载板包含基板、设置在所述基板上的至少一个薄膜电阻以及设置在所述薄膜电阻上的多个第一图样化电路,其中所述多个第一图样化电路中任意两个相邻电路之间具有间隙,部分所述薄膜电阻延伸至该等第一图样化电路之间的至少一个间隙中;
在所述载板设置有所述薄膜电阻的一侧形成第一保护材料,且所述第一保护材料至少覆盖所述薄膜电阻延伸至所述间隙内的至少一部分;
薄化所述第一保护材料;以及
移除部分所述第一保护材料,其中未经移除的所述第一保护材料形成第一保护层,并覆盖所述薄膜电阻延伸至所述间隙内的部分。
2.如权利要求1所述的封装基板制作方法,其特征在于,所述移除部分第一保护材料的步骤包含:
选择性地曝光所述第一保护材料;以及
蚀刻所述第一保护材料,以将所述第一保护材料位于所述基板上方设置有所述薄膜电阻以外的区域的部分实质上完全移除。
3.如权利要求2所述的封装基板制作方法,其特征在于,所述蚀刻第一保护材料的步骤,更进一步从该等间隙中设置有所述薄膜电阻的区域内移除所述第一保护材料的一部分,以至少暴露所述薄膜电阻邻接所述间隙的一部分。
4.如权利要求1所述的封装基板制作方法,其特征在于,所述薄化第一保护材料的步骤,更进一步使所述第一保护材料相对所述基板具有第一高度,其中所述第一高度大于该等第一图样化电路相对所述基板的第二高度。
5.如权利要求1所述的封装基板制作方法,其特征在于,所述薄化第一保护材料的步骤,更进一步使所述第一保护材料相对所述基板具有第三高度,其中所述第三高度与该等第一图样化电路相对所述基板的第二高度实质上相等。
6.如权利要求1所述的封装基板制作方法,其特征在于,所述薄化第一保护材料的步骤,更进一步使所述第一保护材料相对所述基板具有第四高度,其中所述第四高度实质上小于该等第一图样化电路相对所述基板的第二高度。
7.如权利要求1所述的封装基板制作方法,其特征在于,所述形成第一保护材料的步骤还包含,形成所述第一保护材料覆盖该等第一图样化电路,其中所述移除部分第一保护材料的步骤还包含,部分移除所述第一保护材料位于该等第一图样化电路上的部分,其中未移除的所述第一保护材料覆盖该等第一图样化电路的部分与覆盖所述薄膜电阻位于所述间隙内的部分互相邻接,以共同形成所述第一保护层。
8.如权利要求1所述的封装基板制作方法,其特征在于,所述形成第一保护材料的步骤还包含形成所述第一保护材料覆盖所述基板,其中所述移除部分第一保护材料的步骤还包含部分移除所述第一保护材料位于所述基板上的部分,其中未移除的所述第一保护材料覆盖所述基板的部分与覆盖所述薄膜电阻位于所述间隙内的部分互相邻接,以共同形成所述第一保护层。
9.如权利要求1所述的封装基板制作方法,其特征在于,还包含形成第二保护层,使得所述第二保护层覆盖所述薄膜电阻暴露在所述第一保护层外的部分以及所述第一保护层。
10.如权利要求9所述的封装基板制作方法,其特征在于,所述形成第二保护层的步骤更进一步让所述第二保护层覆盖该等第一图样化电路以及所述基板其中至少一个。
11.如权利要求1所述的封装基板制作方法,其特征在于,还包含在所述基板的所述第一侧形成介电层,并覆盖该等第一图样化电路、该等间隙以及所述第一保护层。
12.如权利要求11所述的封装基板制作方法,其特征在于,还包含:
在所述介电层中对应该等第一图样化电路中至少一个形成开孔;以及
在所述开孔中形成导电盲孔,以连接该等第一图样化电路中的对应者至所述介电层远离所述基板的表面。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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