[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括：衬底和位于衬底上相邻的第一鳍部和第二鳍部；

在所述衬底上形成隔离结构，所述隔离结构覆盖所述第一鳍部和第二鳍部侧壁，所述隔离结构的表面高于或齐平于所述第一鳍部和第二鳍部顶部表面；

对所述第一鳍部和第二鳍部之间的隔离结构进行离子注入，形成隔离层；

在所述隔离层上形成保护层；

以所述保护层为掩膜，对所述隔离结构进行刻蚀，使所述隔离结构暴露出第一鳍部和第二鳍部部分侧壁，对所述隔离结构进行刻蚀的过程中，所述隔离层的刻蚀速率低于所述隔离结构的刻蚀速率；

对所述保护层进行刻蚀，使所述保护层表面与所述第一鳍部和第二鳍部顶部表面齐平或使所述保护层表面略高于第一鳍部和第二鳍部顶部表面；

对所述保护层进行刻蚀后，在所述第一鳍部邻近所述隔离层的区域以及所述第二鳍部邻近所述隔离层的区域上形成伪栅极结构，所形成的伪栅结构覆盖所述第一鳍部和第二鳍部边缘。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述离子注入过程中注入的离子包括：硅离子、碳离子或锗离子。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述离子注入的工艺参数包括：注入剂量为1.0E13 atoms/cm²～1.0E16atoms/cm²；注入能量为1eV～30eV。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成隔离结构的工艺包括：流体化学气相沉积工艺。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述第一鳍部和第二鳍部之间的隔离结构进行离子注入的步骤包括：

在所述第一鳍部顶部、第二鳍部顶部和所述隔离结构上形成初始图形层；

去除所述第一鳍部和第二鳍部之间隔离结构上的初始图形层，形成图形层；以所述图形层为掩膜进行离子注入。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述图形层的材料为氮化硅或氮氧化硅。

7.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，离子注入之后，所述在所述隔离层上形成保护层包括：

在所述图形层和所述隔离层上形成初始保护层；

去除所述图形层和所述图形层上的初始保护层，保留所述隔离层上的初始保护层，形成保护层。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料与所述图形层的材料不同。

9.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为氧化硅。

10.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成初始保护层的工艺包括：高密度等离子体沉积工艺。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成初始保护层的工艺参数包括：反应气体包括：硅烷或正硅酸乙酯、氧气以及氩气或氢气；反应温度为300℃～500℃。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述伪栅极结构后，还包括：

形成横跨所述第一鳍部的第一栅极结构，所述第一栅极结构覆盖所述第一鳍部侧壁和顶部表面；

形成横跨所述第二鳍部的第二栅极结构，所述第二栅极结构覆盖所述第二鳍部侧壁和顶部表面；

在所述第一栅极结构和伪栅极结构之间的第一鳍部中形成第一源漏掺杂区；

在所述第二栅极结构和伪栅极结构之间的第二鳍部中形成第二源漏掺杂区。