[发明专利]选择码提供电路及其提供方法

说明书

本发明提供一种选择码提供电路及其提供方法，其选择码提供电路包含多个电阻式随机存取记忆元以及控制器。控制器决定是否提供控制信号以对电阻式随机存取记忆元进行重形成操作。其中，控制器对电阻式随机存取记忆元施行读取操作以决定重形成电阻式随机存取记忆元的位数，而选择码是根据重形成电阻式随机存取记忆元的位数或非重形成电阻式随机存取记忆元的位数产生。本发明证明数个RRAM单元中，至少有一个RRAM单元会被重形成，以保障数据保存性。

技术领域

本发明涉及一种选择码提供电路及其提供方法。尤其涉及一种使用电阻式随机存取记忆元的选择码提供电路及其提供方法。

背景技术

近年来，消费性电子产品对用户来说是日常生活的必备工具。为储存信息，许多内存装置嵌入于电子产品。为储存非易失性信息，所谓的电阻式随机存取内存(resistiverandom access memory,RRAM)越来越受欢迎。

依现有技术，为写入或抹除RRAM单元，需于RRAM单元上进行重设或设定操作。但是，在物理上，经过设定或重设的RRAM单元的电阻值，可能由于某些原因变化。即，无法达到数据保存性的需求。特别是，为提供选择码，如果无法达到数据保存性的需求，错误的功能或错误的应用可能被执行，并且造成系统效能减少。如此，若要使用RRAM单元提供选择码，达到数据保存性的需求很重要。

发明内容

本发明是针对一种选择码提供电路及其提供方法，其证明数个RRAM单元中，至少有一个RRAM单元会被重形成，以保障数据保存性。

本发明提供一种选择码提供电路。选择码提供电路包括多个电阻式随机存取记忆元以及控制器。控制器耦接于电阻式随机存取记忆元。控制器决定是否提供控制信号以对至少一电阻式随机存取记忆元进行重形成操作。其中，控制器对电阻式随机存取记忆元施行读取操作以决定重形成电阻式随机记忆元的位数，而选择码决定于重形成电阻式随机存取记忆元的位数，或非重形成电阻式随机存取记忆元的位数。

本发明亦提供一种选择码提供方法。选择码提供方法的步骤包括:决定是否提供控制信号以对多个电阻式随机存取记忆元进行重形成操作、对电阻式随机存取记忆元施行读取操作，以决定重形成电阻式随机存取记忆元的位数、以及，根据重形成电阻式随机存取记忆元的位数或非重形成电阻式随机存取记忆元的位数产生选择码。

根据以上描述，此发明中，选择码是通过检测重形成电阻式随机存取记忆元的位数而产生，而选择码可通过对至少一电阻式随机存取记忆元进行重成形操作来作调整。如此，至少一该重形成电阻式随机存取记忆元可以维持在一个稳定值。可保障选择码的数据保存性。

为使前述与其他特点以及本发明的优点易于理解，以下将几个范例实施例配合附图作详细的描述。为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1显示本发明实施例的一选择码提供电路的方框图；

图2显示本发明另一实施例选择码提供电路的方框图；

图3显示本发明一实施例的位数传感器的示意图；

图4显示本发明另一实施例的选择码提供电路的方框图；

图5显示本发明一实施例的一选择码提供方法的步骤流程图。

附图标记：

100、200、400：选择码提供电路

111-11N、211-21N、411-41N：电阻式随机存取记忆元

OPC：选择码

120、220、420：控制器

230：位数传感器

310：互斥或门