[发明专利]选择码提供电路及其提供方法有效
申请号: | 201610525414.5 | 申请日: | 2016-07-06 |
公开(公告)号: | CN107230493B | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
发明(设计)人: | 陈毓明;林纪舜 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C13/00 | 分类号: | G11C13/00 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 选择 提供 电路 及其 方法 | ||
1.一种选择码提供电路,其特征在于,包括:
多个电阻式随机存取记忆元;以及
控制器,耦接至所述多个电阻式随机存取记忆元,并决定是否提供控制信号以对所述多个电阻式随机存取记忆元的至少其中之一进行重形成操作,
其中,所述控制器对所述多个电阻式随机存取记忆元施行读取操作以决定所述多个电阻式随机记忆元中的重形成电阻式随机记忆元的位数,而所述选择码依据所述重形成电阻式随机存取记忆元的位数为奇数或偶数,或依据非重形成电阻式随机存取记忆元的位数为奇数或偶数来决定。
2.根据权利要求1所述的所述选择码提供电路,其特征在于,如果所述重形成电阻式随机存取记忆元的位数为奇数,所述选择码为第一逻辑值,而如果所述重形成电阻式随机存取记忆元的位数为偶数,所述选择码为第二逻辑值,
其中所述第一逻辑值与所述第二逻辑值不相同。
3.根据权利要求1所述的所述选择码提供电路,其特征在于,还包括:
位数传感器,耦接至所述多个电阻式随机存取记忆元,分别读取所述多个电阻式随机存取记忆元的多个储存数据,并根据所述多个储存数据产生所述选择码。
4.根据权利要求3所述的所述选择码提供电路,其特征在于,所述位数传感器为逻辑电路,而所述逻辑电路对所述多个储存数据进行逻辑操作以产生所述选择码。
5.根据权利要求4所述的所述选择码提供电路,其特征在于,所述逻辑电路包括:
互斥或门,具有分别接收所述多个储存数据的多个输入端;以及
输出端以产生所述选择码。
6.根据权利要求3所述的所述选择码提供电路,其特征在于,各所述储存数据是通过对应的电阻式随机存取记忆元的一电阻值来获得。
7.根据权利要求1所述的所述选择码提供电路,其特征在于,还包括:
多个备用电阻式随机存取记忆元,耦接至所述控制器,其中,所述控制器禁能所述多个电阻式随机存取记忆元针对所述多个备用电阻式随机存取记忆元的至少其中之一执行所述重形成操作以更新所述选择码。
8.一种选择码提供方法,其特征在于,包括:
决定是否提供控制信号以对多个电阻式随机存取记忆元的至少其中之一进行重形成操作;
对所述多个电阻式随机存取记忆元施行读取操作,以决定所述多个电阻式随机记忆元中的重形成电阻式随机记忆元的位数;以及
根据所述重形成电阻式随机存取记忆元的位数为奇数或偶数或非重形成电阻式随机存取记忆元的位数为奇数或偶数产生所述选择码。
9.根据权利要求8所述的所述选择码提供方法,其特征在于,根据所述重形成电阻式随机存取记忆元的所述位数产生所述选择码的步骤包括:
如果所述重形成电阻式随机存取记忆元的位数为奇数,所述选择码为第一逻辑值,而如果所述重形成电阻式随机存取记忆元的位数为偶数,所述选择码为第二逻辑值,且所述第一逻辑值不同于所述第二逻辑值。
10.根据权利要求8所述的所述选择码提供方法,其特征在于,根据所述重形成电阻式随机存取记忆元的所述位数产生所述选择码的步骤包括:
分别读取所述多个电阻式随机存取记忆元的多个储存数据,并根据所述多个储存数据产生所述选择码。
11.根据权利要求10所述的所述选择码提供方法,其特征在于,根据所述多个储存数据产生所述选择码的步骤包括:
对所述多个储存数据进行逻辑操作以产生所述选择码。
12.根据权利要求8所述的所述选择码提供方法,其特征在于,还包括:
多个备用电阻式随机存取记忆元;以及
禁能所述多个电阻式随机存取记忆元并针对所述多个备用电阻式随机存取记忆元的至少其中之一进行所述重形成操作以更新所述选择码。
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