[发明专利]一种制备三氯氢硅的工艺和系统

权利要求书

1.一种制备三氯氢硅的工艺，其特征在于，包括以下步骤：

1)对干法还原尾气解析分离得到的还原尾气解析冷凝液进行闪蒸，得到分离开的气态的二氯二氢硅和液态的三氯氢硅；

2)向浆化床反应器内通入液态的四氯化硅与所述气态的二氯二氢硅，在放入到所述浆化床反应器内的催化剂的催化作用下进行反歧化反应，所述浆化床反应器内的压力为0.10～0.60Mpa,温度为40～100℃，在浆化床反应器内得到气体混合物，该气体混合物包括所述反歧化反应生成的三氯氢硅。

2.根据权利要求1所述的制备三氯氢硅的工艺，其特征在于，所述步骤1)中的所述闪蒸的温度为60～80℃，压力为0.20Mpa～0.40Mpa。

3.根据权利要求1所述的制备三氯氢硅的工艺，其特征在于，所述步骤2)中向浆化床反应器内通入的气态的二氯二氢硅的流速为0.045～0.1m/s。

4.根据权利要求1所述的制备三氯氢硅的工艺，其特征在于，所述步骤2)中向浆化床反应器内通入的所述四氯化硅与所述二氯二氢硅与的摩尔比为(6～12)：1。

5.一种权利要求1～4任意一项所述的制备三氯氢硅的工艺所使用的制备三氯氢硅的系统，其特征在于，包括：

闪蒸器，用于对干法还原尾气解析分离得到的还原尾气解析冷凝液进行闪蒸，得到分离开的气态的二氯二氢硅和液态的三氯氢硅；

浆化床反应器，与所述闪蒸器连接，所述气态的二氯二氢硅由所述闪蒸器流入到所述浆化床反应器，所述浆化床反应器还用于向其内通入液态的四氯化硅，所述浆化床反应器内的四氯化硅与气态的二氯二氢硅，在放入到所述浆化床反应器内的催化剂的催化作用下进行反歧化反应，在浆化床反应器内得到气体混合物，该气体混合物包括所述反歧化反应生成的三氯氢硅。

6.根据权利要求5所述的制备三氯氢硅的系统，其特征在于，所述浆化床反应器包括浆化床反应器入口和浆化床反应器出口，在所述浆化床反应器内设置有反应床层，在所述浆化床反应器内且靠近所述浆化床反应器入口处设置有用于鼓泡的气泡分布器，在所述气泡分布器和所述反应床层之间设置有隔离挡板，该隔离挡板能够流过气体且能够阻挡所述反应床层内的固体颗粒从所述浆化床反应器入口流出。

7.根据权利要求5所述的制备三氯氢硅的系统，其特征在于，还包括：

一级冷凝器，所述闪蒸器与所述一级冷凝器连接，所述一级冷凝器用于对干法还原尾气解析分离得到的还原尾气进行冷凝得到还原尾气解析冷凝液，所述还原尾气解析冷凝液由所述一级冷凝器流入所述闪蒸器。

8.根据权利要求5所述的制备三氯氢硅的系统，其特征在于，还包括：

二级冷凝器，该二级冷凝器与所述浆化床反应器连接，所述二级冷凝器用于冷凝由所述浆化床反应器流出的气体混合物，得到液体。

9.根据权利要求8所述的制备三氯氢硅的系统，其特征在于，还包括：

精馏塔，该精馏塔与所述二级冷凝器连接，所述精馏塔用于精馏由所述二级冷凝器流出的液体，在精馏塔的塔顶得到含有二氯二氢硅的轻组分，在精馏塔的塔釜得到三氯氢硅。

10.根据权利要求9所述的制备三氯氢硅的系统，其特征在于，所述精馏塔的塔顶与所述浆化床反应器的入口连接，所述精馏塔的塔顶得到的二氯二氢硅流入到所述浆化床反应器内。