[发明专利]涂覆剂及利用该涂覆剂的涂层的形成方法

说明书

本发明涉及一种涂覆组合物及利用该涂覆组合物的涂膜的形成方法。更详细地，涉及一种在加工如体半导体晶圆或钢化玻璃的对象物时，临时涂覆于表面而保护表面，并且在加工后容易剥离的液态的涂覆组合物、利用该涂覆组合物形成的涂膜、该涂膜的制造方法及利用所述涂覆组合物的半导体芯片的制造工艺。

技术领域

本发明涉及一种涂覆组合物及利用该涂覆组合物的涂膜的形成方法。更详细而言，涉及一种在加工如半导体晶圆或钢化玻璃等的对象物时，临时涂覆于表面而保护表面，并且在加工后容易剥离的液态的涂覆组合物、利用该涂覆组合物而形成的涂膜、该涂膜的制造方法及利用所述涂覆组合物的半导体芯片的制造工艺。

背景技术

近年来，随着IT产业的发展，作为IT设备的主要部件的半导体、各种触摸屏、电路板等显示器材料的半导体晶圆及钢化玻璃的用量逐渐增加。

尤其，随着产品的轻量化、薄膜化以及半导体芯片的高集成化，对减少加工部件时产生的次品率、提高可靠性等方面的要求越来越多。并且，为了在半导体晶圆或钢化玻璃的加工工艺中防止材料受到损伤，临时形成于表面的保护膜的使用也相应地增加。

例如，半导体晶圆的加工过程中，进行研磨工艺之背面研磨(back grinding)及切割(dicing)工艺时，频繁产生如晶圆污染及裂纹的晶圆受损现象，尤其，在作为半导体晶圆加工改善工艺的一部分的对晶圆进行半切切割(Half cut dicing)后进行研磨的先划片后减薄(DBG：Dicing Before Grinding)工艺中，经常产生如下所述的次品类型，即，背面碎片(Back Side Chipping)及裂纹(Crack)、蒸馏水(DI Water)渗透于芯片表面、模具(Die)的分离使的芯片角破碎等。并且，在现有工艺之对晶圆进行研磨后进行全割切割(Full cutdicing)工艺中，也经常产生如上所述的次品类型。

并且，观察显示器中使用的钢化玻璃的加工工艺，可以发现，通过水注方式等将玻璃切割成符合于适用产品的大小后，对侧面部进行磨削加工。此时，在玻璃的切断及磨削加工工艺中产生玻璃表面破损及划痕时，将显著提高钢化玻璃的破损、散射、字体模糊等不良率。

尤其，使用钢化玻璃并进行激光加工后，为了实现超薄型(Slimming)而在强酸的氟酸(HF，hydrofluoric acid)中实施蚀刻(etching)操作时，经常产生表面损伤、尺寸不稳定等次品类型。

为了解决上述问题，通常在现场使用保护用粘附膜，所述保护用粘附膜是临时形成保护层，并在加工处理后能够剥离去除，由此在加工过程中，能够防止蒸馏水或研磨水的渗透，并通过保持高粘附力，将对象物牢牢地固定住，从而得到防止破损的效果。

然而，上述保护用膜成本高，而且在粘合工艺中流入包括飞尘在内的多种异物，且引起粘合状态不均衡，同时在剥离过程中残留粘附成分等，因此，存在需要另行进行其他工艺等诸多问题。图1是显示上述问题的图，对于使用现有的保护用粘附膜的加工物表面状态而言，在进行传动或研磨时，会粘附异物(图1的a、b、f)或硅灰尘(c、d)，或者叠层膜无法均匀粘合(图1的e)，背面碎片(Back Side Chipping)(图1的h)不良。

并且，为了防止在加工过程中膜脱落，需要具有对表面的充分的粘合性和加工后容易去除的特性，但是这两个特性是相反的特性，因此难以同时满足，并且，为了提高封装可靠性，对具备表面保护膜的半导体晶进行双面研磨时，因所述粘附膜的高的粘附力，反而容易损伤表面保护膜，从而粘附膜的使用也受到限制。

因此，考虑了通过液态涂覆剂形成临时涂层的方案，但是，因使用UV等的固化方式而难以实现剥离，而且，由于圆形的涂覆面积或涂覆厚度的厚度偏差，因此实际上难以应用于要求高平整度的半导体晶圆加工工艺中。

【现有技术文献】

【专利文献】

(专利文献1)韩国授权专利第10-1393895号(2014.05.13)