[发明专利]涂覆剂及利用该涂覆剂的涂层的形成方法

权利要求书

1.一种用于加工半导体芯片的液态涂覆组合物，其中，所述组合物满足下述关系式1并且包含具有牛顿流体特性的聚氯乙烯类树脂浆体和增塑剂，

[关系式1]

5×10²≤G′100/G′70≤10³

在关系式1中，G′100和G′70分别表示在100℃和70℃的温度下的储能模量。

2.根据权利要求1所述的涂覆组合物，其中，所述组合物在25～30℃的温度下粘度为5,000～20,000cps。

3.根据权利要求1所述的涂覆组合物，其中，所述聚氯乙烯类树脂浆体包括平均粒径为1～10μm的粉末状的且聚合度为500～2,000的聚氯乙烯树脂。

4.根据权利要求1所述的涂覆组合物，其中，所述增塑剂为偏苯三酸酯类化合物。

5.根据权利要求1所述的涂覆组合物，其中，所述增塑剂的量为所述涂覆组合物总重量的10～40重量％。

6.根据权利要求1所述的涂覆组合物，其中，所述组合物还包含选自由流平剂、消泡剂、粘度调节剂、抗静电剂、防沉淀剂及热稳定剂组成的组中的任意一种以上的添加剂。

7.一种涂膜，其中，所述涂膜通过涂布权利要求1所述的涂覆组合物而形成。

8.根据权利要求7所述的涂膜，其特征在于，所述膜为，以厚度200μm基准，依据JIS2107规定测定的剥离强度为0.1～1.0kgf/25mm，依据ASTMD638规定测定的抗张强度为10～20kgf/15mm。

9.根据权利要求7所述的涂膜，其特征在于，所述膜在温度为25℃、相对湿度为85％的条件下放置6个小时后的收缩率为0.1％以下。

10.一种涂膜的制造方法，其中，所述方法包括：

涂布步骤，将权利要求1所述的涂覆组合物涂布于基材对象物的上部面；

涂层形成步骤，进行热压接合；以及

固化步骤，进行热处理。

11.根据权利要求10所述的涂膜的制造方法，其特征在于，所述涂布步骤中，基材对象物的上部面的温度范围为150～180℃。

12.根据权利要求10所述的涂膜的制造方法，其特征在于，所述涂层形成步骤中，在150～180℃的温度下以20～60TONf/cm²的压力条件进行热压接合。

13.根据权利要求10所述的涂膜的制造方法，其特征在于，所述热处理步骤在150～160℃的温度下实施5～10分钟。

14.一种半导体芯片的制造方法，其中，所述方法包括：

涂覆步骤，将权利要求1所述的涂覆组合物涂布于基材对象物的上部面而形成涂层；

热处理步骤；

实施背面研磨的步骤；以及

剥离涂层的步骤。

15.根据权利要求14所述的半导体芯片的制造方法，其中，所述涂覆步骤还包括在进行涂布后，在150～180℃的温度下以20～60TONf/cm²的压力进行热压接合。

16.根据权利要求14所述的半导体芯片的制造方法，其中，所述涂覆步骤还包括使用模具将涂覆组合物在基材对象物上部面形成涂层。

17.根据权利要求14述的半导体芯片的制造方法，其中，所述热处理步骤在150～180℃的温度下实施5～10分钟。