[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：

提供半导体衬底，所述半导体衬底至少包括存储区域和接触插塞区域；

在所述存储区域的半导体衬底上形成多层叠层结构，每一叠层结构包括电介质层及位于电介质层上方的控制栅层，每层所述控制栅层的尺寸相同，且侧壁齐平；

形成覆盖所述多层叠层结构以及所述接触插塞区域的第一介电层，在所述接触插塞区域中的第一介电层中形成与所述多层叠层结构中的控制栅层对应的多个第一接触插塞，所述第一接触插塞由每一所述控制栅层倾斜延伸至所述第一介电层的上表面；

在所述第一介电层上形成第二介电层，并在所述第二介电层中形成与所述多个第一接触插塞对应连接的多个第二接触插塞，

其中，每个对应的第一接触插塞和第二接触插塞与一个相应的控制栅层连接，形成所述多个第一接触插塞的步骤包括：

在所述第一介电层上形成图形化的硬掩膜层，所述图形化的硬掩膜层定义所述多个第一接触插塞在所述第一介电层顶表面的开口位置；

以所述硬掩膜层为掩膜刻蚀所述第一介电层，以形成多个倾斜的第一接触孔，每个所述第一接触孔对应延伸至一层所述控制栅层；

以导电材料填充所述多个倾斜的第一接触孔以形成所述多个第一接触插塞。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，采用定向带状束刻蚀工艺刻蚀所述第一介电层，以形成多个倾斜的第一接触孔。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述硬掩膜层为金属硬掩膜层。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一接触插塞相对所述半导体衬底的倾斜角度为30～60度。

5.根据权利要求1-3任意一项所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第二接触插塞垂直所述半导体衬底设置。

6.根据权利要求1-3任意一项所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述控制栅层包括金属钨层。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一接触插塞和第二接触插塞包括金属钨材料。

8.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底至少包括存储区域和接触插塞区域，在所述存储区域的半导体衬底上形成有多层叠层结构，每一叠层结构包括电介质层及位于电介质层上方的控制栅层，每层所述控制栅层的尺寸相同，且侧壁齐平；

第一介电层，所述第一介电层覆盖所述多层叠层结构以及所述接触插塞区域，在所述接触插塞区域中的第一介电层中形成与所述多层叠层结构中的控制栅层对应的多个第一接触插塞，所述第一接触插塞由每一所述控制栅层倾斜延伸至所述第一介电层的上表面；

第二介电层，所述第二介电层位于所述第一介电层上，在所述第二介电层中形成与所述多个第一接触插塞对应连接的多个第二接触插塞，

其中，每个对应的第一接触插塞和第二接触插塞与一个相应的控制栅层连接。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述第一接触插塞相对所述半导体衬底的倾斜角度为30～60度。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述第二接触插塞垂直所述半导体衬底设置。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述控制栅层包括金属钨层。

12.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述第一接触插塞和第二接触插塞包括金属钨材料。

13.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求8-12任意一项所述的半导体器件以及与所述半导体器件相连接的电子组件。