[发明专利]一种半导体器件及其制备方法和电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构，在所述栅极结构的侧壁上层叠形成有第一间隙壁和第二间隙壁；

在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成第一凹槽；

对所述第一凹槽进行清洗，以去除所述第一凹槽表面的杂质；

去除所述第二间隙壁，以露出所述第一间隙壁；

湿法蚀刻所述第一凹槽，以形成具有目标形状的第二凹槽；

在所述第二凹槽中外延生长半导体材料，以形成源漏。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洗包括远程等离子体干法清洗。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述远程等离子体干法清洗的功率为100～1000w，清洗气氛包括5～50sccm的NF₃以及100～1000sccm的Ar。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述第一凹槽之后还进一步包括选用H₂SO₄对所述第一凹槽进行清洗的步骤；或包括选用O₃和稀释的氢氟酸对所述第一凹槽进行清洗的步骤。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，选用四甲基氢氧化铵蚀刻液蚀刻所述第一凹槽，以形成Σ形的所述第二凹槽。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，选用稀释的氢氟酸去除所述第二间隙壁或选用SiCoNi干法制程去除所述第二间隙壁。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，蚀刻所述第一凹槽的压力为2～20mt，蚀刻气氛包括50～200SCCM的HBr，2～10SCCM的O₂。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一间隙壁选用氮化物，所述第一间隙壁的宽度为10～20nm；

所述第二间隙壁选用氧化物，所述氧化物的厚度为3～8nm。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括在抬升源漏上形成覆盖层的步骤。

10.根据权利要求1至9之一所述的方法，其特征在于，所述半 导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域，在所述NMOS区域上形成有NMOS栅极结构，在所述PMOS区域上形成有PMOS栅极结构，在所述NMOS栅极结构上和PMOS栅极结构上形成有所述第一间隙壁；

在所述NMOS区域形成保护层，以覆盖所述NMOS栅极结构；

蚀刻所述PMOS栅极结构上的所述第一间隙壁，去除所述半导体衬底上的所述第一间隙壁和所述PMOS栅极结构顶部的所述第一间隙；

去除所述保护层，以露出所述NMOS区域；

在所述第一间隙壁上形成所述第二间隙壁；

在所述PMOS栅极结构两侧的半导体衬底中形成所述第一凹槽。

11.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件通过权利要求1至10之一所述方法制备得到。

12.一种电子装置，包括权利要求11所述的半导体器件。