[发明专利]线路板结构的制造方法

说明书

本发明提供一种线路板结构的制造方法，其步骤如下。提供玻璃膜于静电吸盘上。进行切割工艺，以于玻璃膜中形成至少一裂缝。于玻璃膜中形成多个第一导通孔。于玻璃膜上形成第一线路层。于第一线路层上形成聚合物层。聚合物层覆盖第一线路层的表面以及玻璃膜的表面。于聚合物层中形成多个第二导通孔。于聚合物层上形成第二线路层，以形成第一线路板结构。进行单体化工艺，以将第一线路板结构分离为多个第二线路板结构。本发明可减少切割应力残留，同时提高产能。

技术领域

本发明涉及一种半导体结构的制造方法，尤其涉及一种线路板结构的制造方法。

背景技术

由于消费性电子产品对于可携式(Portability)以及多功能(Multi-function)的需求增加，使得半导体元件朝着小尺寸、高性能以及低成本的趋势迈进。在此趋势下，半导体元件需要在较小的面积下增加更多的输入/输出(I/O)接垫至线路板上。换言之，随着半导体元件的积集度愈来愈高，对于半导体封装技术的可靠度与良率的需求也愈来愈高。

一般而言，在完成重配置线路层的封装工艺后，整个板面需要切割成较小的多个板面。现行切割方式大多采用激光方式来进行切割，以减少应力残留问题。然而，以激光方式来进行切割的速度较慢，其不利于产能与制造成本。

发明内容

本发明提供一种包括二次切割的线路板结构的制造方法，其可减少切割应力残留，同时提高产能。

本发明提供一种线路板结构的制造方法，其步骤如下。提供具有上表面、下表面的玻璃膜，玻璃膜的下表面置于静电吸盘上。进行切割工艺，以于玻璃膜的上表面中形成至少一裂缝(slit)。于玻璃膜的上表面中形成多个第一导通孔。于玻璃膜的上表面上形成第一线路层，使得第一线路层与第一导通孔电性连接。于第一线路层上形成聚合物层。聚合物层覆盖第一线路层的表面以及玻璃膜的表面。于聚合物层中形成多个第二导通孔。第二导通孔与第一线路层电性连接。于聚合物层上形成第二线路层，使得第二线路层与第二导通孔电性连接，以形成第一线路板结构。进行单体化(singulation)工艺，以将第一线路板结构分离为多个第二线路板结构。

在本发明的一实施例中，上述裂缝未暴露静电吸盘的表面。

在本发明的一实施例中，上述裂缝的深度至少大于玻璃膜的厚度的三分之二。

在本发明的一实施例中，上述裂缝的侧壁与玻璃膜的底面之间的角度为30度至60度。

在本发明的一实施例中，上述裂缝的数量为多个。上述裂缝包括平行于第一方向的多条第一切割道以及平行于第二方向的多条第二切割道。第一方向与第二方向相交(intersect)。

在本发明的一实施例中，于上述第一线路层上形成聚合物层时，上述聚合物层填入裂缝中。

在本发明的一实施例中，上述切割工艺的步骤包括藉由钻石刀具在玻璃膜上进行切割。

在本发明的一实施例中，在进行上述单体化工艺之前，还包括藉由定位标记(alignment mark)，使得钻石刀具对准裂缝处。

在本发明的一实施例中，在进行上述单体化工艺之后，还包括移除静电吸盘。

基于上述，本发明藉由在玻璃膜中形成裂缝，以提供应力集中点于上述裂缝处。接着，在玻璃膜上形成重配置线路层结构。之后，藉由钻石刀具沿着上述裂缝方向做二次切割，使得应力从上述裂缝处释放。因此，本发明可避免切割应力残留在重配置线路层结构的边缘，进而导致玻璃膜产生不规则的破裂。换言之，本发明藉由二次切割处理，使得经切割的线路板结构的边缘较为平整。另外，相较于现有的激光切割，本发明不仅可减少切割应力残留，亦可同时提高产能。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明