[发明专利]线路板结构的制造方法有效
| 申请号： | 201610417765.4 | 申请日： | 2016-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN107516648B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 李建财;吴建德;罗正中 | 申请（专利权）人： | 欣兴电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;C03B33/02;H05K3/00;H05K3/32 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾桃园市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 线路板 结构 制造 方法 | ||
1.一种线路板结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供具有上表面、下表面的玻璃膜，所述玻璃膜的下表面置于静电吸盘上；
进行切割工艺，以于所述玻璃膜的上表面中形成至少一裂缝，其中所述裂缝的深度至少大于所述玻璃膜的厚度的三分之二，所述裂缝未贯穿所述玻璃膜，且所述裂缝呈倒三角形；
于所述玻璃膜的上表面中形成多个第一导通孔；
于所述玻璃膜的上表面上形成第一线路层，使得所述第一线路层与所述多个第一导通孔电性连接；
于所述第一线路层上形成聚合物层，所述聚合物层覆盖所述第一线路层的表面以及所述玻璃膜的表面；
于所述聚合物层中形成多个第二导通孔，其中所述多个第二导通孔与所述第一线路层电性连接；
于所述聚合物层上形成第二线路层，使得所述第二线路层与所述多个第二导通孔电性连接，以形成第一线路板结构；以及
进行单体化工艺，以将所述第一线路板结构分离为多个第二线路板结构。
2.根据权利要求1所述的线路板结构的制造方法，其特征在于，所述裂缝未暴露所述静电吸盘的表面。
3.根据权利要求1所述的线路板结构的制造方法，其特征在于，所述裂缝的侧壁与所述玻璃膜的底面之间的角度为30度至60度。
4.根据权利要求1所述的线路板结构的制造方法，其特征在于，所述裂缝的数量为多个，所述多个裂缝包括平行于第一方向的多条第一切割道以及平行于第二方向的多条第二切割道，所述第一方向与所述第二方向相交。
5.根据权利要求1所述的线路板结构的制造方法，其特征在于，于所述第一线路层上形成所述聚合物层时，所述聚合物层填入所述裂缝中。
6.根据权利要求1所述的线路板结构的制造方法，其特征在于，所述切割工艺的步骤包括藉由钻石刀具在所述玻璃膜上进行切割。
7.根据权利要求1所述的线路板结构的制造方法，其特征在于，所述单体化工艺的步骤包括藉由钻石刀进行单体化工艺，以将所述第一线路板结构分离为多个第二线路板结构。
8.根据权利要求7所述的线路板结构的制造方法，其特征在于，在进行所述单体化工艺之前，还包括藉由定位标记，使得所述钻石刀具对准所述裂缝处。
9.根据权利要求1所述的线路板结构的制造方法，其特征在于，在进行所述单体化工艺之后，还包括移除所述静电吸盘。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
