[发明专利]CMOS器件、PMOS器件及NMOS器件的形成方法

权利要求书

1.一种NMOS器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供NMOS区域的基底，所述NMOS区域包括第一N型阈值电压区、第二N型阈值电压区以及第三N型阈值电压区；

对所述第一N型阈值电压区以及第三N型阈值电压区的基底进行第三阈值电压掺杂处理；

对所述第二N型阈值电压区的基底进行第四阈值电压掺杂处理，且所述第三阈值电压掺杂处理的掺杂浓度大于第四阈值电压掺杂处理的掺杂浓度；

在所述基底上形成栅介质层；

在所述第一N型阈值电压区的栅介质层上形成第一N型功函数层；

在所述第二N型阈值电压区以及第三N型阈值电压区的栅介质层上形成第二N型功函数层，且所述第二N型功函数层的厚度大于所述第一N型功函数层的厚度；

在所述第一N型功函数层上以及第二N型功函数层上形成金属层；

形成所述第一N型功函数层以及第二N型功函数层的工艺步骤包括：

在所述栅介质层上形成第一N型子功函数膜，所述第一N型子功函数膜位于第一N型阈值电压区、第二N型阈值电压区以及第三N型阈值电压区；

刻蚀去除位于所述第一N型阈值电压区的第一N型子功函数膜，在所述第二N型阈值电压区以及第三N型阈值电压区形成第一N型子功函数层；

接着，在所述第一N型阈值电压区的栅介质层上、以及所述第一N型子功函数层上形成第二N型子功函数层，其中，位于所述第一N型阈值电压区的第二N型子功函数层作为所述第一N型功函数层，所述第一N型子功函数层以及位于第一N型子功函数层上的第二N型子功函数层作为所述第二N型功函数层。

2.如权利要求1所述的NMOS器件的形成方法，其特征在于，所述第三阈值电压掺杂处理的掺杂离子为P型离子，掺杂浓度为5E13atom/cm³至1E16atom/cm³；所述第四阈值电压掺杂处理的掺杂离子为P型离子，掺杂浓度为1E12atom/cm³至1E14atom/cm³。

3.如权利要求1所述的NMOS器件的形成方法，其特征在于，在所述第一N型阈值电压区的栅介质层上形成第一阻挡层，在所述第二N型阈值电压区以及第三阈值电压区的栅介质层上形成第二阻挡层。

4.如权利要求3所述的NMOS器件的形成方法，其特征在于，所述第一N型子功函数层的厚度为30埃～100埃；所述第二N型子功函数层的厚度为20埃～50埃。

5.如权利要求1所述的NMOS器件的形成方法，其特征在于，在形成所述栅介质层之前，还包括步骤：在所述基底上形成层间介质层，所述层间介质层内形成有贯穿所述层间介质层的开口，所述开口包括，位于第一N型阈值电压区的第四开口、位于第二N型阈值电压区的第五开口、以及位于第三N性阈值电压区的第六开口，其中，所述栅介质层位于所述开口底部和侧壁上，且形成的所述金属层填充满开口。

6.如权利要求1所述的NMOS器件的形成方法，其特征在于，所述基底包括衬底以及位于衬底上的分立的鳍部。

7.如权利要求1所述的NMOS器件的形成方法，其特征在于，所述栅介质层包括界面层以及位于界面层表面的高k栅介质层。