[发明专利]负压输出电路有效
| 申请号: | 201610408945.6 | 申请日: | 2016-06-08 |
| 公开(公告)号: | CN107481760B | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
| 发明(设计)人: | 罗光燕;倪昊;周耀 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号: | G11C16/30 | 分类号: | G11C16/30 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
| 地址: | 300385 天津市*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 输出 电路 | ||
1.一种负压输出电路,其特征在于,包括依次连接的负压探测单元、比较单元和输出单元,其中,第一输入端、第二输入端、第一电源端和第二电源端连接所述输出单元,所述第一输入端、所述第二输入端以及所述第一电源端还连接所述比较单元,所述第二电源端还连接所述负压探测单元;所述负压探测单元输出比较信号到所述比较单元,当所述第二电源端的电压下降到一预设值时,所述负压探测单元将所述比较信号拉高,所述比较单元将所述第一输入端、所述第二输入端以及所述第一电源端的电压拉低;
其中,所述输出单元包括:用于输出电压的第一输出端和第二输出端;第一PMOS晶体管,连接于所述第一电源端和所述第一输出端之间,栅极连接所述第一输入端;第二PMOS晶体管,连接于所述第一电源端和所述第二输出端之间,栅极连接所述第二输入端;第一NMOS晶体管,连接于所述第一输出端与所述第二电源端之间,栅极连接所述第二输出端;第二NMOS晶体管,连接于所述第二输出端与所述第二电源端之间,栅极连接所述第一输出端。
2.如权利要求1所述的负压输出电路,其特征在于,所述比较单元包括:
第一或非电路,输入端连接第三输入端和所述比较信号,输出端连接所述第二输入端;
第二或非电路,输入端连接所述第二输入端和所述比较信号,输出端连接所述第一输入端;
反相电路,输入端连接所述比较信号,输出端连接所述第一电源端。
3.如权利要求1所述的负压输出电路,其特征在于,所述负压探测单元包括依次连接的第一控制单元、探测单元、第二控制单元以及信号输出单元;所述第一控制单元用于控制所述探测单元中电路的开关,所述探测单元用于探测所述第二电源端的电压,并根据所述第二电源端与所述预设值之间的关系输出不同的电位信号到所述第二控制单元,所述第二控制单元接收所述探测单元输出的信号,控制所述信号输出单元输出不同的所述比较信号。
4.如权利要求3所述的负压输出电路,其特征在于,所述探测单元包括:
第三PMOS晶体管,连接于所述第一电源端与第一节点之间,栅极连接第一控制信号;
第三NMOS晶体管,连接于所述第一节点与第二节点之间,栅极连接第三电源端;
第四NMOS晶体管,连接于所述第二节点与所述第二电源端之间,栅极连接控制电压。
5.如权利要求4所述的负压输出电路,其特征在于,所述探测单元和所述第二控制单元之间还包括有第六NMOS晶体管,所述第六NMOS晶体管的源极和漏极连接于所述第三电源端之间,栅极连接所述第一节点。
6.如权利要求4所述的负压输出电路,其特征在于,所述第二控制单元包括:
第四PMOS晶体管,连接于所述第一电源端和第三节点之间,栅极连接所述第三电源端;
第五PMOS晶体管,连接于所述第三节点与第四节点之间,栅极连接所述第一节点;
第五NMOS晶体管,连接于所述第四节点与所述第三电源端之间,栅极连接所述第一电源端。
7.如权利要求6所述的负压输出电路,其特征在于,所述信号输出单元包括:第三或非电路,输入端连接所述第三节点和第二控制信号,输出端连接所述比较信号。
8.如权利要求7所述的负压输出电路,其特征在于,所述第三或非电路的输出端与所述比较信号之间还依次连接第二反相电路和第三反相电路。
9.如权利要求7所述的负压输出电路,其特征在于,所述第一控制单元包括:
第四或非电路,输入端连接所述第三电源端和所述第二控制信号;
第四反相电路,输入端连接所述第四或非电路的输出端,输出端连接所述第一控制信号。
10.如权利要求9所述的负压输出电路,其特征在于,所述第一控制信号为高电位,所述第二控制信号为低电位。
11.如权利要求4~10中任意一项所述的负压输出电路,其特征在于,所述第三电源端为接地端。
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