[发明专利]掩膜版图形的修正方法

说明书

本发明提供一种掩膜版图形的修正方法，包括：提供芯片图形区，所述芯片图形区包括多个主图形；对所述主图形进行曝光处理，获取曝光后的第一光强分布；对所述第一光强分布进行光强变化率极值处理，获取零值位置信息；对所述辅助图形进行曝光处理，获取曝光后的第二光强分布；获取所述第二光强分布的极值位置信息；采用所述极值位置信息和零值位置信息进行匹配，获取辅助图形位置；在芯片图形区与所述辅助图形位置对应处设置辅助图形。所述形成方法不需要大量的数值计算，从而能够降低计算的复杂度，提高计算效率；此外，利用这种方法获取辅助图形的设置位置不需要依靠设计人员的经验，精确度较高。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种掩膜版图形的修正方法。

背景技术

在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，设计尺寸已经接近或者小于光刻过程中使用的光波波长，光的衍射效应和干涉效应变得越来越明显，导致实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形变得和设计图形不同，这种现象被称为光学邻近效应(Optical Proximity Effect,OPE)。

为了解决光学邻近效应产生的图形畸变问题，光学临近修正(Optical ProximityCorrection，OPC)、亚分辨率辅助图形(Sub-Resolution Assist Features，SRAF)、反演光刻(Inverse Lithography Technology，ILT)、光源和掩模版的优化以及两次曝光等技术应运而生。

在一个设计中，芯片图形的密集度具有很大的任意性。理论和实验结果都清楚地表明，密集分布图形的光刻工艺窗口与稀疏图形的光刻工艺窗口是不一样的，这就导致了共同的工艺窗口偏小。适用于密集图形曝光的光照条件并不适合稀疏图形的曝光。在设计中添加曝光辅助图形可以解决这一技术难题。

曝光辅助图形是一些很细小的图形，它们被放置在稀疏设计图形的周围，使稀疏图形在光学的角度上看像密集图形。这些辅助图形的最小尺寸必须小于光刻机的分辨率。在曝光时，它们只对光线起散射作用，而不应该在光刻胶上形成图像。因此，曝光辅助图形也叫亚分辨率的辅助图形(sub-resolution assistant feature,SRAF)或散射条(scattering bar)。

为了在数据处理时把辅助图形加入到原设计中，通常的做法是通过建立一系列辅助图形插入的规则来实现的。这种辅助图形加入的方法又叫基于经验的辅助图形(rules-based SRAF)。基于经验的辅助图形需要依靠设计人员的经验，且计算精度低。为了克服基于经验的辅助图形的缺点，反演光刻技术被提出，并很快被业界所接受。然而，反演光刻技术非常复杂，特别是对于整个芯片，计算量庞大。

由此可见，掩膜版图形的修正方法存在计算精度低或计算量庞大、效率低的缺点。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种掩膜版图形的修正方法，能够降低计算的复杂度，提高计算效率。

为解决上述问题，本发明提供一种掩膜版图形的修正方法，包括：提供芯片图形区，所述芯片图形区包括多个主图形；对所述主图形进行曝光处理，获取曝光后的第一光强分布；对所述第一光强分布进行光强变化率极值处理，获取零值位置信息；提供辅助图形；对所述辅助图形进行曝光处理，获取曝光后的第二光强分布；获取所述第二光强分布的极值位置信息；采用所述极值位置信息和零值位置信息进行匹配，获取辅助图形位置；在芯片图形区与所述辅助图形位置对应处设置辅助图形；在设置辅助图形后，对所述芯片图形区进行光学邻近效应修正，获得修正图形。

可选的，所述极值位置信息包括若干极值位置，所述极值位置为所述辅助图形曝光后的光强极大值所在的位置；所述零值位置信息包括若干零值位置，所述零值位置为所述主图形曝光后的光强变化率的极值位置；