[发明专利]掩膜版图形的修正方法

权利要求书

1.一种掩膜版图形的修正方法，其特征在于，包括：

提供芯片图形区，所述芯片图形区包括多个主图形；

对所述主图形进行曝光处理，获取曝光后的第一光强分布；

对所述第一光强分布进行光强变化率极值处理，获取零值位置信息，所述零值位置信息包括若干零值位置，所述零值位置为所述主图形曝光后的光强变化率的极值位置；

提供辅助图形；

对所述辅助图形进行曝光处理，获取曝光后的第二光强分布；

获取所述第二光强分布的极值位置信息，所述极值位置信息包括若干极值位置，所述极值位置为所述辅助图形曝光后的光强极大值所在的位置；

采用所述极值位置信息和零值位置信息进行匹配，获取辅助图形位置，采用所述极值位置信息和零值位置信息进行匹配的步骤包括：当极值位置到所述辅助图形中心点的距离与零值位置到所述主图形中心点的距离相等时，获取对应的零值位置作为辅助图形位置；

在芯片图形区与所述辅助图形位置对应处设置辅助图形；

在设置辅助图形后，对所述芯片图形区进行光学邻近效应修正，获得修正图形。

2.如权利要求1所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，所述辅助图形为散射条。

3.如权利要求1所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，所述辅助图形的宽度为15nm～50nm。

4.如权利要求1所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，还包括：提供检测装置；

对所述主图形进行曝光处理，获取曝光后的第一光强分布的步骤包括：

以所述主图形为掩膜对所述检测装置进行曝光；

通过所述检测装置获取第一光强；

对所述辅助图形进行曝光处理，获取曝光后的第二光强分布的步骤包括：以所述辅助图形为掩膜对所述检测装置进行曝光；

通过所述检测装置获取第二光强。

5.如权利要求4所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，对所述主图形进行曝光处理，获取曝光后的第一光强分布的步骤还包括：建立第一坐标系，所述第一坐标系用于定义位置与第一光强的关系；获取第一光强在所述第一坐标系下的函数关系，形成第一光强分布函数。

6.如权利要求5所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，对所述第一光强分布进行光强变化率极值处理，获取零值位置信息的步骤包括：

获取所述第一光强分布函数的二阶导行列式；

当所述第一光强分布函数的二阶导行列式为零时，获取零值位置信息。

7.如权利要求6所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，所述主图形为一维图形；所述第一光强分布函数为具有一个变量的单变量函数，所述变量为位置变量。

8.如权利要求7所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，获取所述第一光强分布函数的二阶导行列式的步骤包括：求所述第一光强分布函数关于所述位置变量的导数，获得一阶导函数；求所述一阶导函数关于所述位置变量的导数，获得二阶导函数，所述二阶导函数的行列式即为所述二阶导行列式。

9.如权利要求6所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，所述主图形为二维图形；所述第一光强分布函数为具有两个变量的双变量函数，所述两个变量包括第一位置变量和第二位置变量。

10.如权利要求9所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，获取所述第一光强分布函数的二阶导行列式的步骤包括：

获取所述第一光强分布函数在所述第一坐标系下的黑塞矩阵；获取所述黑塞矩阵的行列式，得到二阶导行列式。

11.如权利要求10所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，获取零值位置信息的步骤包括：

对角化所述黑塞矩阵，获得所述黑塞矩阵的第一特征值和第二特征值；获得第一特征值或第二特征值为零的黑塞矩阵对应的第一光强位置，得到零值位置坐标。