[发明专利]一种芯片及获取芯片调试数据的方法

说明书

本发明实施例公开了一种芯片及获取芯片调试数据的方法，该方法包括：芯片总控模块确定芯片处于死机状态时，触发IO控制模块通过强制更改DDR存储单元的IO电平状态控制DDR存储单元进行自刷新；芯片总控模块根据IO控制模块接收到的复位请求命令按照预设的复位序列控制芯片进行复位；DDR控制及接口模块在复位后根据DDR训练参数保存模块中预存的训练参数对DDR存储单元的访问通道进行配置，并在配置完毕后向IO控制模块发送停止自刷新控制指令；芯片总控模块芯片总控模块按照预设的调试策略从芯片的主数据通道调用DDR控制及接口模块通过IO控制模块访问DDR存储单元，获取存储在DDR存储单元内的现场数据。

技术领域

本发明涉及芯片调试技术，尤其涉及一种芯片及获取芯片调试数据的方法。

背景技术

在芯片运用的过程中，经常会碰到异常或死机的时候，此时，技术人员需要对发生异常或死机的芯片进行问题定位分析，找出发生异常或死机的原因，并进行后续优化调整设计，以及采取对应的异常或死机规避方案。

在芯片的设计规模不大的时候，通过采用不同用例对芯片进行测试，观测在不同用例作用下芯片的不同反应，猜测芯片发生异常或死机的原因。但是随着芯片的设计规模及其复杂度不断增大，通过用例对芯片进行试验猜测的方法需要花费大量的时间，加大了芯片的研发成本。

接着，技术人员通过在芯片内部增加用来进行调试的存储单元，通过IO接口对这些存储单元进行观测，获取调试数据。方便芯片发生异常或死机后定位问题。但是在芯片内部增加存储单元需要额外的增加成本，而且芯片内的存储单元容量太小，收集到的调试数据有限。

为了获取更多更全面的调试数据，技术人员在芯片外部设置额外的闪存flash来进行调试数据的收集。当芯片工作的时候，将芯片的工作状态数据存放到外部设置的flash上。由于flash的存储空间比芯片内的存储空间大，因此增加了芯片异常或死机后手机的调试数据的数据采集量。

但该方案具有以下两个缺陷：1、flash通常用于存放固定程序，如果要存放调试数据，需要额外增加存储空间，从而增加了成本；2、在芯片过程中存取调试信息需要消耗flash接口带宽及芯片内部的总线带宽，影响芯片的工作性能。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明实施例期望提供一种芯片及获取芯片调试数据的方法，能够在较低的成本以及不影响芯片工作性能的前提下，获取大量的调试数据。

本发明的技术方案是这样实现的：

第一方面，本发明实施例提供了一种获取芯片调试数据的方法，所述方法应用于一芯片，所述芯片与外部双倍速率同步动态随机存储器DDR存储单元相连接，所述芯片包括：芯片总控模块，IO控制模块、访问命令记录模块、DDR控制及接口模块和DDR训练参数保存模块；所述方法包括：

所述芯片总控模块确定所述芯片处于死机状态时，触发所述IO控制模块通过强制更改所述DDR存储单元的IO电平状态控制所述DDR存储单元进行自刷新；

所述芯片总控模块根据所述IO控制模块接收到的复位请求命令按照预设的复位序列控制芯片进行复位；

所述DDR控制及接口模块在复位后根据所述DDR训练参数保存模块中预存的训练参数对所述DDR存储单元的访问通道进行配置，并在配置完毕后向所述IO控制模块发送停止自刷新控制指令；

所述芯片总控模块按照预设的调试策略从所述芯片的主数据通道调用所述DDR控制及接口模块通过所述IO控制模块访问所述DDR存储单元，获取存储在所述DDR存储单元内的现场数据。

在上述方案中，所述触发所述IO控制模块通过强制更改所述DDR存储单元的IO电平状态控制所述DDR存储单元进行自刷新；具体包括：