[发明专利]一种芯片及获取芯片调试数据的方法

权利要求书

1.一种获取芯片调试数据的方法，其特征在于，所述方法应用于一芯片，所述芯片与外部双倍速率同步动态随机存储器DDR存储单元相连接，所述芯片包括：芯片总控模块，IO控制模块、访问命令记录模块、DDR控制及接口模块和DDR训练参数保存模块；所述方法包括：

所述芯片总控模块确定所述芯片处于死机状态时，触发所述IO控制模块通过强制更改所述DDR存储单元的IO电平状态控制所述DDR存储单元进行自刷新；

所述芯片总控模块根据所述IO控制模块接收到的复位请求命令按照预设的复位序列控制芯片进行复位；其中，所述预设的复位序列用于指示所述芯片总控模块按照所述芯片内部通用子系统、系统总线、所述DDR控制及接口模块以及所述IO控制模块的顺序依次进行复位；

所述DDR控制及接口模块在复位后根据所述DDR训练参数保存模块中预存的训练参数对所述DDR存储单元的访问通道进行配置，并在配置完毕后向所述IO控制模块发送停止自刷新控制指令；

所述芯片总控模块按照预设的调试策略从所述芯片的主数据通道调用所述DDR控制及接口模块通过所述IO控制模块访问所述DDR存储单元，获取存储在所述DDR存储单元内的现场数据。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述触发所述IO控制模块通过强制更改所述DDR存储单元的IO电平状态控制所述DDR存储单元进行自刷新；具体包括：

当所述芯片总控模块确认所述芯片处于死机状态时，所述芯片总控模块向所述IO控制模块发送模式控制指令，所述IO控制模块接收到所述模式控制指令后进入数据保持模式，并强制更改所述DDR存储单元的IO接口的电平状态，从而使得所述DDR存储单元进入自刷新模式；

或者，

当所述IO控制模块在预设的时间段内未接收到所述芯片对所述DDR存储单元传输的数据刷新指令时，所述IO控制模块强制更改所述DDR存储单元的IO接口的电平状态，从而使得所述DDR存储单元进入自刷新模式。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯片总控模块根据所述IO控制模块接收到的复位请求命令按照预设的复位序列控制芯片进行复位，具体包括：

所述IO控制模块接收复位请求命令，并将所述复位请求命令传输至所述芯片总控模块；

所述芯片总控模块根据所述复位请求命令按照预设的复位序列控制所述芯片进行复位。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯片总控模块按照预设的调试策略从所述芯片的主数据通道调用所述DDR控制及接口模块通过所述IO控制模块访问所述DDR存储单元，获取存储在所述DDR存储单元内的现场数据，具体包括：

所述芯片总控模块根据自身内部状态及所述IO控制模块的信息，进入调试状态；

将所述IO控制模块、所述芯片总控模块、所述DDR训练参数保存模块以及所述访问命令记录模块的数据信息通过所述IO控制模块向所述芯片外部输出，获得初步调试方案；

根据所述初步调试方案从所述芯片的主数据通道调用所述DDR控制及接口模块通过所述IO控制模块访问所述DDR存储单元，获取存储在所述DDR存储单元内的现场数据。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述芯片正常工作状态时，所述DDR控制及接口模块对DDR访问通道进行训练，并将所述芯片正常工作状态下的训练参数预存在所述DDR训练参数保存模块中；

以及，在所述芯片正常工作状态下，所述访问命令记录模块用于监测所述DDR控制及接口模块的DDR访问命令。