[发明专利]电子装置封装和其封装方法

权利要求书

1.一种电子装置封装，包括：

衬底；

基底膜；

配置于所述衬底与所述基底膜之间的第一密封件，其中所述第一密封件通过所述基底膜部分暴露；

配置于所述基底膜上的电子装置；以及

配置于所述电子装置上的第二密封件，所述第二密封件包括吸收剂，其中所述第二密封件的一部分粘附到通过所述基底膜暴露的所述第一密封件的一部分，所述第一密封件和所述第二密封件包封所述基底膜和所述电子装置，且所述第一密封件和所述第二密封件的主体材料相同。

2.根据权利要求1所述的电子装置封装，更包括：

包括多个导电元件的电路板，其中所述电路板配置于所述第二密封件上，所述多个导电元件嵌入所述第二密封件中，且所述多个导电元件电连接到所述电子装置。

3.根据权利要求1所述的电子装置封装，其中所述电子装置包括第一电极层、发光层以及第二电极层，且所述发光层配置于所述第一电极层与所述第二电极层之间。

4.根据权利要求1所述的电子装置封装，更包括至少一个配置于所述基底膜的至少一个表面上的阻挡层。

5.根据权利要求4所述的电子装置封装，其中所述至少一个阻挡层的材料包括氧化硅、氮化硅或其组合。

6.根据权利要求4所述的电子装置封装，其中所述至少一个阻挡层的水气穿透率(WVTR)在60摄氏度和90％的相对湿度下持续1000小时小于10^-4克/平方米·天。

7.根据权利要求1所述的电子装置封装，其中所述吸收剂包括聚丙烯酸钠、聚丙烯腈钠、聚丙烯酰胺、CaO、BaO、SrO、Al₂O₃、SiO₂、SiO、沸石或其组合。

8.根据权利要求1所述的电子装置封装，其中所述第一密封件的折射率等于或大于所述衬底的折射率。

9.根据权利要求1所述的电子装置封装，其中所述第一密封件包括分布于其中的光散射粒子。

10.根据权利要求9所述的电子装置封装，其中所述光散射粒子的粒径在30纳米到70纳米范围内。

11.根据权利要求9所述的电子装置封装，其中所述光散射粒子与所述第一密封件的掺杂比小于70重量％。

12.根据权利要求9所述的电子装置封装，其中所述第二密封件的水气穿透率(WVTR)在60摄氏度和90％的相对湿度下持续1000小时小于10^-4克/平方米·天。

13.根据权利要求12所述的电子装置封装，其中在60摄氏度和90％的相对湿度下1000小时之后的所述第二密封件的水气穿透率(WVTR)为约6克/平方米·天。

14.根据权利要求9所述的电子装置封装，其中所述光散射粒子包括Al₂O₃粒子、聚苯乙烯粒子或其组合。

15.根据权利要求1所述的电子装置封装，其中所述吸收剂与所述第二密封件的主体材料的掺杂或预混合比为5重量％至20重量％。

16.一种用于封装电子装置封装的方法，包括：

经由衬底与基底膜之间的第一密封件将所述基底膜粘附到所述衬底；

在所述基底膜上形成电子装置，其中所述第一密封件通过所述基底膜部分暴露；

在所述电子装置和所述第一密封件上提供第二密封件，其中所述第二密封件包括分布于其中的吸收剂；以及

将所述第二密封件的一部分粘附到通过所述基底膜暴露的所述第一密封件的一部分，所述第一密封件和所述第二密封件包封所述基底膜和所述电子装置，其中所述第一密封件和所述第二密封件的主体材料相同。

17.根据权利要求16所述的用于封装电子装置封装的方法，更包括：

提供包括多个导电元件的电路板；

粘附所述电路板与所述第二密封件，其中所述导电元件嵌入所述第二密封件中；以及

经由所述第二密封件将所述电路板层合到所述电子装置上，其中所述导电元件电连接到所述电子装置。