[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，该半导体器件包括：

第一源晶种层；

第二源晶种层，所述第二源晶种层被设置在所述第一源晶种层上方，同时与所述第一源晶种层间隔开；

堆叠结构，所述堆叠结构被形成在所述第二源晶种层上；

沟道层，所述沟道层通过穿透所述堆叠结构而延伸到所述第一源晶种层内；以及

夹层源层，所述夹层源层延伸到所述第一源晶种层与所述第二源晶种层之间的空间中，同时与所述沟道层、所述第一源晶种层和所述第二源晶种层接触。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一源晶种层、所述第二源晶种层和所述夹层源层包括n型掺杂剂或p型掺杂剂。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一源晶种层、所述第二源晶种层和所述夹层源层包括硅。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，该半导体器件还包括形成在所述第二源晶种层上的刻蚀阻挡源层，所述刻蚀阻挡源层由具有相对于氧化物层比所述第二源晶种层更高的刻蚀选择比的材料形成。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述刻蚀阻挡源层包括掺杂碳的多晶硅。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述堆叠结构包括被交替堆叠的夹层介电层和导电图案。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，该半导体器件还包括：

狭缝，所述狭缝在所述沟道层之间且穿透所述堆叠结构和所述第二源晶种层；

侧壁绝缘层，所述侧壁绝缘层被形成在所述狭缝的侧壁上；以及

狭缝绝缘层，所述狭缝绝缘层填充在所述狭缝中，所述狭缝绝缘层被形成在所述侧壁绝缘层上，所述狭缝绝缘层延伸至所述夹层源层的上部。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述侧壁绝缘层被形成为氮化物层的单层。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述侧壁绝缘层包括：

第一侧壁绝缘层，所述第一侧壁绝缘层包括氮化物层；

第二侧壁绝缘层，所述第二侧壁绝缘层被所述第一侧壁绝缘层包围，所述第二侧壁绝缘层包括氧化物层；以及

第三侧壁绝缘层，所述第三侧壁绝缘层被所述第二侧壁绝缘层包围，所述第三侧壁绝缘层包括氮化物层。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，该半导体器件包括：

第一多层图案，所述第一多层图案包围每一个所述沟道层的、穿透所述堆叠结构和所述第二源晶种层的第一部分的外壁；以及

第二多层图案，所述第二多层图案包围每一个所述沟道层的、穿入所述第一源晶种层的上部的第二部分的外壁。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第一多层图案和所述第二多层图案被所述夹层源层分开。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第一多层图案和所述第二多层图案中的每一个包括：

隧道绝缘层，所述隧道绝缘层包围每一个所述沟道层的外壁；

数据存储层，所述数据存储层包围所述隧道绝缘层；以及

阻挡绝缘层，所述阻挡绝缘层包围所述数据存储层。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，该半导体器件还包括设置在所述第一源晶种层下方的金属源层，所述金属源层由具有比所述第一源晶种层和所述第二源晶种层更低的电阻的材料形成。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，该半导体器件还包括：

第一阻隔金属层，所述第一阻隔金属层包围所述金属源层的侧壁和底面；以及

第二阻隔金属层，所述第二阻隔金属层被设置在所述第一源晶种层与所述金属源层之间。