[发明专利]具有全音域及低音加强的扬声装置及电子装置

权利要求书

1.一种具有全音域及低音加强的扬声装置，安装在一电子装置的一装置壳体内，所述装置壳体具有一第一侧壁及连接于所述第一侧壁的一第二侧壁，所述第一侧壁上形成有多个第一出音孔，所述第二侧壁上形成有至少一个第二出音孔，其特征在于，所述扬声装置包含：

一共振壳体，设置在所述装置壳体内，所述共振壳体与所述装置壳体间定义连通所述多个第一出音孔的一音箱腔室；

一喇叭单体，安装在所述共振壳体上且位在所述音箱腔室内，所述喇叭单体用以发出一声波，部分的所述声波通过所述音箱腔室并通过所述多个第一出音孔以一第一频率发出；以及

一倒相管壳体，连接所述共振壳体与所述装置壳体的所述第二侧壁，所述倒相管壳体内形成连通所述音箱腔室与所述至少一个第二出音孔的一倒相管腔室，另一部分的所述声波通过所述音箱腔室与所述倒相管腔室并通过所述至少一个第二出音孔以一第二频率发出，其中所述第二频率的峰值小于所述第一频率的峰值。

2.如权利要求1所述的扬声装置，其特征在于，所述倒相管壳体具有一倒相管上顶壁、一倒相管下底壁及一声波导引壁，所述倒相管上顶壁与所述倒相管下底壁间定义所述倒相管腔室，所述声波导引壁延伸于所述倒相管上顶壁且伸入所述音箱腔室中，以将另一部分的所述声波由所述音箱腔室导入所述倒相管腔室。

3.如权利要求2所述的扬声装置，其特征在于，所述声波导引壁的一声波导引壁边缘超出所述倒相管下底壁的一下底壁边缘，且所述声波导引壁遮盖部分的所述多个第一出音孔。

4.如权利要求3所述的扬声装置，其特征在于，所述倒相管壳体沿一倒相管壳体走向连接于所述第二侧壁，所述声波导引壁边缘与所述下底壁边缘间沿所述倒相管壳体走向相距一第一距离，所述下底壁边缘与所述第二侧壁间沿所述倒相管壳体走向相距一第二距离，所述第二距离介于所述第一距离的1倍与所述第一距离的300倍之间。

5.如权利要求4所述的扬声装置，其特征在于，所述倒相管腔室的截面积、所述第一距离、所述第二距离与所述第二频率满足赫姆兹公式。

6.如权利要求4所述的扬声装置，其特征在于，还包含：

一内壁，凸出于所述第一侧壁且连接于所述共振壳体，所述内壁、所述第一侧壁与所述共振壳体共同定义所述音箱腔室，所述下底壁边缘与所述内壁间沿所述倒相管壳体走向相距一第三距离，所述第一距离介于所述第三距离的0.01倍与所述第三距离的0.3倍之间。

7.如权利要求1所述的扬声装置，其特征在于，所述共振壳体内形成有一共振腔室，且所述喇叭单体利用所述共振腔室将所述声波发出。

8.一种电子装置，其特征在于，包含：

一装置壳体，具有一第一侧壁及连接于所述第一侧壁的一第二侧壁，所述第一侧壁上形成有多个第一出音孔，所述第二侧壁上形成有至少一个第二出音孔；以及

一扬声装置，包含：

一共振壳体，设置在所述装置壳体内，所述共振壳体与所述装置壳体间定义连通所述多个第一出音孔的一音箱腔室；

一喇叭单体，安装在所述共振壳体上且位在所述音箱腔室内，所述喇叭单体用以发出一声波，部分的所述声波通过所述音箱腔室并通过所述多个第一出音孔以一第一频率发出；以及

一倒相管壳体，连接所述共振壳体与所述装置壳体的所述第二侧壁，所述倒相管壳体内形成连通所述音箱腔室与所述至少一个第二出音孔的一倒相管腔室，另一部分的所述声波通过所述音箱腔室与所述倒相管腔室并通过所述至少一个第二出音孔以一第二频率发出，其中所述第二频率的峰值小于所述第一频率的峰值。

9.如权利要求8所述的电子装置，其特征在于，所述倒相管壳体具有一倒相管上顶壁、一倒相管下底壁及一声波导引壁，所述倒相管上顶壁与所述倒相管下底壁间定义所述倒相管腔室，所述声波导引壁延伸于所述倒相管上顶壁且伸入所述音箱腔室中，以将另一部分的所述声波由所述音箱腔室导入所述倒相管腔室。

10.如权利要求9所述的电子装置，其特征在于，所述声波导引壁的一声波导引壁边缘超出所述倒相管下底壁的一下底壁边缘，且所述声波导引壁遮盖部分的所述多个第一出音孔。