[发明专利]一种真空炉有效
申请号: | 201610380708.3 | 申请日: | 2016-05-31 |
公开(公告)号: | CN105890345B | 公开(公告)日: | 2018-04-10 |
发明(设计)人: | 向勇;傅绍英;杨小军 | 申请(专利权)人: | 成都西沃克真空科技有限公司 |
主分类号: | F27B5/05 | 分类号: | F27B5/05;F27B5/02;F27B5/06;F27B5/14;F27B5/16 |
代理公司: | 北京众达德权知识产权代理有限公司11570 | 代理人: | 詹守琴 |
地址: | 610200 四川省成都市双流*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 真空炉 | ||
1.一种真空炉,其特征在于,包括:
第一真空腔室,固定在操作箱的侧壁上;所述第一真空腔室包括充气口和排气口;所述第一真空腔室的充气口用于充入气体;所述第一真空腔室的排气口用于排出所述气体;所述第一真空腔室充入的气体是氩气和/或氮气进而快速降温;
第二真空腔室,容置于所述第一真空腔室内部且固定在所述操作箱的侧壁上;所述操作箱的侧壁上设置有一开口,使得所述第二真空腔室和所述操作箱内部相通;所述第二真空腔室的内部设置有载物台,所述载物台上放置工件;所述第二真空腔室的外壁覆盖有密闭的加热腔室,所述加热腔室和所述第一真空腔室之间具有间隙,在所述加热腔室内部设置有加热组件,所述加热组件沿所述第二真空腔室的外壁依次排列,用于对所述第二真空腔室进行加热;
腔盖,设置在所述操作箱的开口处,用于盖设所述第二真空腔室。
2.如权利要求1所述的真空炉,其特征在于,所述第一真空腔室的壁结构为夹层结构,所述夹层结构的内部灌注冷却液。
3.如权利要求1所述的真空炉,其特征在于,
在所述第一真空腔室的充气口和所述第一真空腔室的排气口的联合作用下,使所述第一真空腔室的压强和所述第二真空腔室的压强相平衡。
4.如权利要求1所述的真空炉,其特征在于,所述真空炉还包括:冷却装置;
所述冷却装置用于冷却氩气和/或氮气,并将冷却后的氩气和/或冷却后的氮气通过第一管道通入所述第二真空腔室的内部。
5.如权利要求4所述的真空炉,其特征在于,所述第一管道在所述第二真空腔室内部的第一管道形状对应所述工件的形状,且所述第一管道上开设有多个排气孔,用于对着所述工件吹出冷却后的氩气和/或冷却后的氮气,以便均匀冷却所述工件。
6.如权利要求4所述的真空炉,其特征在于,所述第一管道上还设置有第一控制阀门,用以控制所述冷却后的氩气和/或冷却后的氮气的流量。
7.如权利要求4所述的真空炉,其特征在于,所述真空炉还包括:
排气装置,通过第二管道连接所述第二真空腔室的排气口,用于排出所述第二真空腔室中的冷却后的氩气和/或冷却后的氮气;
所述第二管道上还设置有第二控制阀门。
8.如权利要求4所述的真空炉,其特征在于,所述冷却后的氩气和/或所述冷却后的氮气的流量范围是:50sccm/min~500sccm/min。
9.如权利要求8所述的真空炉,其特征在于,所述第二真空腔室的温度控制需要满足以下条件:
所述第二真空腔室的降温范围在1000℃~500℃时,时间≤30min,所述冷却后的氩气和/或所述冷却后的氮气的流量为50sccm/min;
所述第二真空腔室的降温范围在500℃~200℃,时间≤30min,所述冷却后的氩气和/或所述冷却后的氮气的流量为300sccm/min;
所述第二真空腔室的降温范围在200℃~25℃;时间≤30min,所述冷却后的氩气和/或所述冷却后的氮气的流量为500sccm/min。
10.如权利要求1所述的真空炉,其特征在于,所述加热组件包括:钼、钨。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都西沃克真空科技有限公司,未经成都西沃克真空科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610380708.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:床上用平板电脑支架
- 下一篇:太阳能光伏用镀膜玻璃的清洗系统