[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本发明公开了半导体装置及其制造方法。该方法包括：提供半导体结构，包括：有源区，包括第一掺杂区域和第一接触件；在有源区上的多个栅极结构，包括第一栅极结构和第二栅极结构，第一栅极结构包括第一栅极，第二栅极结构包括第二栅极；在有源区上的层间电介质层；在半导体结构上形成第一绝缘物层；去除第一绝缘物层的一部分，形成到第一栅极的第一接触孔和到第二栅极的第二接触孔；在第一接触孔和第二接触孔的侧壁上形成第二绝缘物层；在两个接触孔中形成第一接触和第二接触；在两个接触上形成第三绝缘物层；相对于第二绝缘物层和第三绝缘物层选择性地蚀刻第一绝缘物层，形成到第一接触件的第三接触孔；在第三接触孔中形成第三接触。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术

随着半导体技术的发展，例如，将高k(介电常数)电介质层合并在栅极堆叠中的技术、应变工程技术以及材料和器件结构的优化技术等，使得CMOS(Complementary MetalOxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)的尺寸能够继续减小。然而，进一步减小平面型器件的尺寸将遇到比较大的挑战，这是由于平面型器件尺寸的进一步减小将造成短沟道效应以及工艺变化等，从而降低器件可靠性。

鳍式场效应晶体管(FinFETs)技术的出现使得CMOS尺寸的进一步减小成为可能。通过全耗尽的鳍片结构(Fin)可以改善短沟道控制，减小随机掺杂波动，改善迁移率，降低寄生结电容，以及提高面积效率。

在现有FinFET技术中，需要形成分别到源极、漏极和栅极的接触，但是现有的制造过程中，上述各个接触之间容易相连，从而影响器件的可靠性。

发明内容

本发明的发明人发现上述现有技术中存在问题，并因此针对所述问题中的至少一个问题提出了一种新的技术方案。

本发明的目的之一是：提供一种半导体装置的制造方法。本发明的目的之一是：提供一种半导体装置。本发明可以防止接触之间的不可期望的相连，从而可以提高器件的可靠性。

根据本发明的第一方面，提供了一种半导体装置的制造方法，包括：

提供半导体结构，所述半导体结构包括：

有源区，所述有源区包括第一掺杂区域；

位于所述有源区上到所述第一掺杂区域的第一接触件；

在所述有源区上的多个栅极结构，所述多个栅极结构至少包括相邻的第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极结构包括第一栅极，所述第二栅极结构包括第二栅极；所述第一栅极结构和所述第二栅极结构分别位于所述第一接触件的两侧；

位于所述有源区上的层间电介质层，所述层间电介质层围绕所述第一栅极结构、所述第二栅极结构和所述第一接触件；

在所述半导体结构上形成第一绝缘物层；

去除所述第一绝缘物层的一部分，形成到所述第一栅极的第一接触孔和到所述第二栅极的第二接触孔；

在所述第一接触孔和所述第二接触孔的侧壁上形成第二绝缘物层；

在形成所述第二绝缘物层后，在所述第一接触孔和所述第二接触孔中填充第一导电材料，以形成到第一栅极顶部的第一接触和到第二栅极顶部的第二接触，使得所述第一接触的上表面和所述第二接触的上表面低于所述第二绝缘物层的上表面；

在所述第一接触和所述第二接触上形成第三绝缘物层，以覆盖所述第一接触和所述第二接触；

相对于所述第二绝缘物层和所述第三绝缘物层选择性地蚀刻所述第一接触件上的第一绝缘物层，形成到所述第一接触件的第三接触孔，以暴露所述第一接触件的至少一部分；

在所述第三接触孔中填充第二导电材料以形成第三接触。