[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体结构，所述半导体结构包括：

有源区，所述有源区包括第一掺杂区域；

位于所述有源区上到所述第一掺杂区域的第一接触件；

在所述有源区上的多个栅极结构，所述多个栅极结构至少包括相邻的第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极结构包括第一栅极，所述第二栅极结构包括第二栅极；所述第一栅极结构和所述第二栅极结构分别位于所述第一接触件的两侧；

位于所述有源区上的层间电介质层，所述层间电介质层围绕所述第一栅极结构、所述第二栅极结构和所述第一接触件；

在所述半导体结构上形成第一绝缘物层；

去除所述第一绝缘物层的一部分，形成到所述第一栅极的第一接触孔和到所述第二栅极的第二接触孔；

在所述第一接触孔和所述第二接触孔的侧壁上形成第二绝缘物层；

在形成所述第二绝缘物层后，在所述第一接触孔和所述第二接触孔中填充第一导电材料，以形成到第一栅极顶部的第一接触和到第二栅极顶部的第二接触，使得所述第一接触的上表面和所述第二接触的上表面低于所述第二绝缘物层的上表面；

在所述第一接触和所述第二接触上形成第三绝缘物层，以覆盖所述第一接触和所述第二接触；

相对于所述第二绝缘物层和所述第三绝缘物层选择性地蚀刻所述第一接触件上的第一绝缘物层，形成到所述第一接触件的第三接触孔，以暴露所述第一接触件的至少一部分；

在所述第三接触孔中填充第二导电材料以形成第三接触。

2.根据权利要求1所述半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括：

在形成所述第三接触后执行平坦化以暴露所述第一接触和所述第二接触。

3.根据权利要求1所述半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述层间电介质层的上表面与所述第一接触件的上表面齐平。

4.根据权利要求1所述半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述有源区为半导体鳍片，其中所述多个栅极结构分别包绕所述半导体鳍片的一部分。

5.根据权利要求1所述半导体装置的制造方法，其特征在于，

其中所述第一接触孔和所述第二接触孔的横向尺寸大于相应的栅极的横向尺寸。

6.根据权利要求1所述半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述第一接触孔和所述第二接触孔的侧壁上形成第二绝缘物层的步骤包括：

在所述第一绝缘物层上、所述第一接触孔和所述第二接触孔的侧壁上、以及至少所述第一栅极的顶部和至少所述第二栅极的顶部上形成第二绝缘物层；

去除在所述第一绝缘物层上、在至少所述第一栅极的顶部和至少所述第二栅极的顶部上的第二绝缘物层，保留在所述第一接触孔和所述第二接触孔的侧壁上的第二绝缘物层。

7.根据权利要求1所述半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述选择性地蚀刻步骤包括：

在所述第一绝缘物层、所述第二绝缘物层和所述第三绝缘物层上形成缓冲层，以及在所述缓冲层上形成图案化的掩模层；

利用所述掩模层蚀刻所述缓冲层和所述第一绝缘物层形成到所述第一接触件的第三接触孔；

去除所述掩模层以及所述缓冲层的至少一部分。

8.根据权利要求1所述半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第一栅极结构还包括：

在所述有源区上的第一栅极绝缘物，其中所述第一栅极在所述第一栅极绝缘物上；

所述第二栅极结构还包括：

在所述有源区上的第二栅极绝缘物，其中所述第二栅极在所述第二栅极绝缘物上。

9.根据权利要求1所述半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第一掺杂区域为源极或漏极。