[发明专利]一种金属掩膜及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及OLED制造技术领域，具体涉及一种金属掩膜及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件(OLED)具有功耗低、轻便、亮度高、视野宽和反应快等诸多优点，并且能够实现柔性显示，已经广泛应用于智能手机、平板电脑等智能终端中。

现有的OLED显示面板为层状结构，每层通过蒸镀的方式制备。在制造工艺流程中需要制备若干共通层(Common Layer)，其相应需要使用若干共用金属掩膜(曝光光罩)(Common Metal Mask，以下简称CMM)作为蒸镀的金属掩膜。

如图1所示，现有的OLED显示面板(Panel)为层状结构，每层通过蒸镀的方式制备。一般而言，对于每一层需要蒸镀的结构，都需要利用一个相应的金属掩膜进行蒸镀。但是，在OLED结构中，存在一些结构类似的层，其蒸镀所需要的金属掩膜也都相同，这些可以利用相同的金属掩膜蒸镀制备的层即为共通层(Common Layer)。在制造工艺流程中往往需要制备若干共通层，其相应需要使用若干共用金属掩膜(曝光光罩)(Common Metal Mask，以下简称CMM)作为蒸镀的金属掩膜。例如图1中所示，图中HIL1层12、HIL2-1层13、HIL3层15、电洞传输层16、电子传输层18以及光导出层20即为共通层。一般OLED工艺流程中Common Layer共有6层，需要使用6道CMM光罩。

目前，现有技术制造工艺为将金属掩膜以整个显示面板(Panel)开口方式蚀刻，由于开口相对较大，会因水池效应而造成蚀刻液因大面积蚀刻及流动性差所造成的蚀刻液浓度均一性差，进而造成边缘蚀刻尺寸均一性不佳，让产品不合规格。参照图2至图5，其示出了现有技术中制备金属掩膜的工艺流程及结构。如图2所示，在掩膜底板21上涂布感光光阻22并对与所要制备的显示面板尺寸相适应的显示面板图案23区域进行曝光。如图3所示，对前述曝光后的掩膜底板21进行显影制程，从而去除显示面板图案23区域的感光光阻22，使得该部分掩膜底板21露出，形成显影后显示面板孔31。如图4所示，对前述掩膜底板21进行蚀刻，将掩膜底板21的暴露部分蚀刻掉部分，形成显示面板预备孔31’。将该掩膜底板21翻面，重复曝光、显影、蚀刻制程，即可得到具有与所需制备显示面板尺寸相适应的通孔的金属掩膜。在OLED显示面板的制备工艺中，因原Common Layer金属掩膜在制造时会面临蚀刻面积大所造成的开口边缘不平整的问题，容易造成OLED工艺流程的异常，导致制造出的金属掩膜开口边缘不平整，开口精度不高。此外，由于在金属掩膜的这种制备工艺中，蚀刻是行进式工艺，因此掩膜板上对应整个显示面板开口的金属掉落会刮伤后面的掩膜底板，或造成掩膜底板在基台中被卡住。

发明内容

针对现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种金属掩膜及一种金属掩膜的制备方法，减少因为蚀刻面积大而造成的蚀刻液浓度不均所产生的边缘蚀刻尺寸均一性不佳的问题，防止蚀刻工艺中金属掉落。

为达到上述目的，本发明提供一种金属掩膜，其特征在于，包括：

环状通孔；

内部非开孔区，其位于所述环状通孔内部；

外围非开孔区，其位于所述环状通孔外部；

桥接区，其连接所述内部非开孔区与所述外围非开孔区。

优选地，多个所述环状通孔围成矩形。

优选地，所述内部非开孔区为中央开孔区。

优选地，所述桥接区位于相邻两个所述环状通孔之间。

优选地，所述环状通孔为半圆形，所述桥接区位于所述环状通孔的两端之间。

优选地，所述桥接区的厚度小于或等于掩膜厚度。

优选地，所述环状通孔的宽度大于所述掩膜的蚀刻厚度。

作为本发明的另一个方面，还提供一种金属掩膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)提供一掩膜底板，其具有第一面及与其相对的第二面，至少在第一面上涂布感光光阻；

(2)曝光定义环状区域，并预留桥接区，经过显影、蚀刻形成环状通孔，其中所述环状通孔的内部是内部非开孔区，所述环状通孔的外部是外围非开孔区，所述桥接区连接所述内部非开孔区与所述外围非开孔区；

(3)切除所述桥接区。

优选地，所述步骤(2)采用双面分别半蚀刻的工艺。

优选地，在所述掩膜底板的第一面经过半蚀刻之后，先在所述第一面上涂布防蚀刻保护层，再在所述掩膜底板的第二面上进行半蚀刻工艺。

优选地，所述步骤(2)中定义的环状区域为矩形或半圆形。