[发明专利]一种金属掩膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201610373550.7 | 申请日： | 2016-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN107447190A | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 高志豪 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;G03F7/00;H01L21/027;H01L27/32 |
| 代理公司： | 上海隆天律师事务所31282 | 代理人： | 臧云霄,李峰 |
| 地址： | 201506 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 及其 制备 方法 | ||
1.一种金属掩膜，其特征在于，包括：
环状通孔；
内部非开孔区，其位于所述环状通孔内部；
外围非开孔区，其位于所述环状通孔外部；
桥接区，其连接所述内部非开孔区与所述外围非开孔区。
2.根据权利要求1所述的金属掩膜，其特征在于，多个所述环状通孔围成矩形。
3.根据权利要求2所述的金属掩膜，其特征在于，所述内部非开孔区为中央开孔区。
4.根据权利要求2所述的金属掩膜，其特征在于，所述桥接区位于相邻两个所述环状通孔之间。
5.根据权利要求1所述的金属掩膜，其特征在于，所述环状通孔为半圆形，所述桥接区位于所述环状通孔的两端之间。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的金属掩膜，其特征在于，所述桥接区的厚度小于或等于掩膜厚度。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的金属掩膜，其特征在于，所述环状通孔的宽度大于所述掩膜的蚀刻厚度。
8.一种金属掩膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)提供一掩膜底板，其具有第一面及与其相对的第二面，至少在第一面上涂布感光光阻；
(2)曝光定义环状区域，并预留桥接区，经过显影、蚀刻形成环状通孔，其中所述环状通孔的内部是内部非开孔区，所述环状通孔的外部是外围非开孔区，所述桥接区连接所述内部非开孔区与所述外围非开孔区；
(3)切除所述桥接区。
9.根据权利要求8所述的金属掩膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)采用双面分别半蚀刻的工艺。
10.根据权利要求9所述的金属掩膜的制备方法，其特征在于，在所述掩膜底板的第一面经过半蚀刻之后，先在所述第一面上涂布防蚀刻保护层，再在所述掩膜底板的第二面上进行半蚀刻工艺。
11.根据权利要求8所述的金属掩膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中定义的环状区域为矩形或半圆形。
12.根据权利要求8至11中任一项所述的金属掩膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中切除桥接区的方式为利用激光切割。
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