[发明专利]半导体用高纯碳化硅微粉的提纯方法有效
| 申请号： | 201610370116.3 | 申请日： | 2016-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN105948055B | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 郝文虎;龚志刚;周强;马光明;韩宇;刘文兵 | 申请（专利权）人： | 山田研磨材料有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/956 | 分类号： | C01B32/956 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司37212 | 代理人： | 董宝锞 |
| 地址： | 276700 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 高纯 碳化硅 提纯 方法 | ||
1.一种半导体用高纯碳化硅微粉的提纯方法，其特征在于包括以下步骤：
(1)调浆：将研磨好的碳化硅微粉投入搅拌桶内，加去离子水调节料浆浓度；
(2)酸洗：加入质量分数为98％的硫酸；
(3)加温搅拌：将加酸后的料浆加热至40-80℃，在此温度下搅拌5-10小时后陈腐8-15小时；
(4)加混合酸：在陈腐好的料浆中加入混合酸，混合酸与碳化硅微粉的质量比为1:15-20；
(5)加温搅拌：将加入混合酸后的料浆加热至50-80℃，在此温度下搅拌5-10小时，陈腐8-15小时；
(6)冲洗：将陈腐后的物料打入压滤机内用去离子水冲洗至pH值为5-6.5，即得所述的半导体用高纯碳化硅微粉，纯度大于99.9％；
步骤(1)所述的去离子水和碳化硅微粉的质量比为2-3:1；
步骤(4)所述的混合酸是质量分数为68％的硝酸和质量分数为47％的氢氟酸按照2-3:1的质量比混合而成的。
2.根据权利要求1所述的半导体用高纯碳化硅微粉的提纯方法，其特征在于：所述的去离子水电导率为5-30μs/cm。
3.根据权利要求2所述的半导体用高纯碳化硅微粉的提纯方法，其特征在于：步骤(2)所述的硫酸的加入量占碳化硅微粉质量的2-8％。
4.根据权利要求3所述的半导体用高纯碳化硅微粉的提纯方法，其特征在于：步骤(2)所述的硫酸的加入量占碳化硅微粉质量的5％。
5.根据权利要求4所述的半导体用高纯碳化硅微粉的提纯方法，其特征在于：步骤(3)所述的加温搅拌过程中，将加酸后的料浆加热至50-60℃。
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