[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201610369425.9 申请日: 2016-05-30
公开(公告)号: CN106206838B 公开(公告)日: 2017-12-08
发明(设计)人: 许美姬;梁周弘;郑寅道;李恩珠 申请(专利权)人: LG电子株式会社
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0224
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司11127 代理人: 李辉,刘久亮
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 太阳能电池 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明的实施方式涉及太阳能电池及其制造方法,并且更具体地,涉及一种背接触太阳能电池及其制造方法。

背景技术

近来,由于现有能源资源(诸如石油和煤)的耗尽,对用于代替现有能源资源的替代能源的兴趣在增加。最重要的是,太阳能电池是用于将日光转换成电能的流行的下一代电池。

可以通过基于设计形成各种层和电极来制造太阳能电池。太阳能电池的效率可以由各种层和电极的设计来确定。为了使太阳能电池商业化,需要克服低效率和低生产率的问题,并因此,存在对具有最大效率的太阳能电池的需求。

发明内容

因此,已鉴于上述问题做出本发明的实施方式,并且本发明的实施方式的目的是提供一种具有高效率的太阳能电池及其制造方法。

根据本发明的一个方面,上述及其它目的能够通过提供一种制造太阳能电池的方法来实现,该方法包括以下步骤:在半导体基板的一个表面上方形成隧道层;在所述隧道层上方形成半导体层;在所述半导体层中形成包括第一导电类型的第一导电区域以及第二导电类型的第二导电区域的导电区域;以及形成包括连接至所述第一导电区域的第一电极以及连接至所述第二导电区域的第二电极的电极,其中,形成所述导电区域的步骤包括以下步骤:在所述半导体层上方形成掩模层;利用激光在所述掩模层中形成与所述第一导电区域和所述第二导电区域中的至少一个对应的掺杂开口;以及利用所述掺杂开口来执行掺杂。

根据本发明的另一方面,提供了一种太阳能电池,该太阳能电池包括:半导体基板;隧道层,该隧道层形成在所述半导体基板上方;导电区域,该导电区域位于所述隧道层上方,所述导电区域包括第一导电类型的第一导电区域和第二导电类型的第二导电区域;以及电极,该电极包括连接至所述第一导电区域的第一电极以及连接至所述第二导电区域的第二电极,其中,标记位于所述第一导电区域和所述第二导电区域中的至少一个中,并且具有与所述半导体基板和所述导电区域的晶体平面的形状不同的形状,并且其中,所述标记沿着所述第一导电区域和所述第二导电区域中的至少一个的纵向延伸的边缘而形成。

附图说明

本发明的实施方式的上述及其它目的、特征和其它优点从结合附图进行的以下详细描述将被更清楚地理解。

图1是例示了根据本发明的实施方式的太阳能电池的截面图;

图2是图1所例示的太阳能电池的部分平面后视图;

图3是例示了根据本发明的实施方式的太阳能电池的显微照片;

图4A、图4B、图4C、图4D、图4E、图4F、图4G、图4H、图4I、图4J和图4K是例示了根据本发明的实施方式的制造太阳能电池的方法的截面图;

图5例示了制造根据本发明的实施方式的太阳能电池的方法中的激光消融过程的截面图;以及

图6是例示了制造根据本发明的实施方式的太阳能电池的方法中的一个过程的另一示例的截面图。

具体实施方式

现将详细地参照本发明的实施方式,其示例被例示在附图中。然而,应当理解,本发明不应该限于这些实施方式并且可以被以各种方式修改。

在附图中,为了清楚地且简要地说明本发明的实施方式,省略与本描述无关的元件的例示,并且相同或基本相似的元件在本说明书中自始至终由相同的附图标记来标明。另外,在附图中,为了更清楚的说明,元件的尺寸(诸如厚度、宽度等)被放大或者缩小,并且因此本发明的实施方式的厚度、宽度等不限于附图的例示。

在整个说明书中,当一个元件被称为“包括”另一元件时,该元件不应该被理解为排除其它元件,只要不存在特殊冲突描述即可,并且该元件可以包括至少一个其它元件。另外,应当理解,当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为“在”另一元件“上”时,它可以直接在另一元件上或者还可以存在中间元件。另一方面,当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为“直接在”另一元件“上”时,这意味着在该元件与另一元件之间不存在中间元件。

在下文中,将参照附图详细地描述根据本发明的实施方式的太阳能电池及其制造方法。

图1是例示了根据本发明的实施方式的太阳能电池的截面图,并且图2是图1所例示的太阳能电池的部分平面后视图。

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