[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种制造太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：

在半导体基板的一个表面上方形成隧道层；

在所述隧道层上方形成半导体层；

在所述半导体层中形成导电区域，该导电区域包括第一导电类型的第一导电区域以及第二导电类型的第二导电区域；以及

形成包括连接至所述第一导电区域的第一电极以及连接至所述第二导电区域的第二电极的电极，

其中，形成所述导电区域的步骤包括以下步骤：

在所述半导体层上方形成掩模层；

利用激光在所述掩模层中形成与所述第一导电区域和所述第二导电区域中的至少一个对应的掺杂开口；以及

利用所述掺杂开口来执行掺杂，

其中，在形成所述掺杂开口时在所述半导体层中做出标记，并且

其中，所述标记包括沿着所述第一导电区域和所述第二导电区域中的至少一个的纵向延伸的边缘而形成的外标记。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述外标记采取这样的形式，即，沿着所述第一导电区域和所述第二导电区域中的至少一个导电区域的相对纵向延伸的边缘中的每一个边缘而形成的线的形式。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述标记未形成在所述第一导电区域和所述第二导电区域中的至少一个导电区域内部。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述标记还包括形成在所述第一导电区域和所述第二导电区域中的至少一个导电区域内部的内标记。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述外标记比所述第一导电区域和所述第二导电区域中的至少一个导电区域中的所述内标记密集。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述内标记具有与所述外标记交叉的线形状、闭合曲线形状或多边形形状。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一导电区域的导电类型与所述半导体基板的基底区域的导电类型不同，

其中，所述第二导电区域的导电类型与所述半导体基板的所述基底区域的导电类型相同，并且

其中，标记形成在所述第二导电区域的边缘处而未形成在所述第一导电区域中。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一导电区域和所述第二导电区域中的每一个导电区域具有带状布置，并且

其中，在形成所述掺杂开口时，所述激光的激光束被发射以便在所述第一导电区域和所述第二导电区域中的至少一个导电区域的纵向上彼此交叠，从而形成所述掺杂开口。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述导电区域的步骤还包括以下步骤：在形成所述半导体层与形成所述掩模层之间形成第一掺杂层，该第一掺杂层包括开口并且对应于上面将形成所述第一导电区域的区域，

其中，在形成所述掩模层时，所述掩模层形成在整个所述半导体层和整个所述第一掺杂层上方，

其中，在形成所述掺杂开口时，所述掺杂开口被形成以便对应于所述第二导电区域，并且

其中，在执行掺杂时，包括在所述第一掺杂层中的第一导电掺杂剂经由包括第二导电掺杂剂的气氛中的热处理扩散至所述半导体层，以便形成所述第一导电区域，并且所述第二导电掺杂剂扩散至所述半导体层以便形成所述第二导电区域。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，在形成所述掺杂开口时，所述掺杂开口被形成为具有比所述第一掺杂层的所述开口的面积小的面积，使得在执行掺杂之后无掺杂势垒区域位于所述第一导电区域与所述第二导电区域之间，并且

其中，在执行掺杂时，所述半导体基板的相反表面被掺杂有所述第二导电掺杂剂，使得正面场区域形成在所述半导体基板的所述相反表面上。