[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201610365162.4 | 申请日： | 2016-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN107437494B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 纪世良;袁光杰;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括第一晶体管区和第二晶体管区；
在所述基底上形成功函数层；
对第一晶体管区基底上的功函数层进行氧化处理，形成氧化层；
在所述氧化层和功函数层上形成抗反射涂层；
刻蚀去除所述氧化层上的抗反射涂层；
在去除所述氧化层上的抗反射涂层之后，去除所述氧化层；
在去除所述氧化层上的抗反射涂层之后，去除第二晶体管区功函数层上的抗反射涂层。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一晶体管区用于形成NMOS晶体管，所述第二晶体管区用于形成PMOS晶体管。
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述功函数层的材料为氮化钛或氮化钽。
4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氧化层的材料为氮氧化钛或氮氧化钽。
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述对第一晶体管区的功函数层进行氧化处理的步骤包括：在所述第二晶体管区功函数层上形成光刻胶；形成所述光刻胶之后，进行氧化处理。
6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氧化处理的工艺包括：微波催化氧化工艺、热氧化工艺或化学氧化工艺。
7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氧化处理的工艺参数包括：反应气体包括氧气、氮气或两者的组合。
8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，通过微波催化氧化形成所述氧化层的工艺参数包括：氧气的流量为100sccm～3000sccm；氮气的流量为100sccm～3000sccm；气体压强为0.9mTorr～3Torr，微波辐射功率为900W～2700W。
9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述抗反射涂层的材料为有机材料。
10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述功函数层的厚度为20埃～30埃。
11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为20埃～30埃。
12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述氧化层上的抗反射涂层的工艺包括干法刻蚀。
13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述氧化层的工艺为干法刻蚀或湿法刻蚀。
14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，通过干法刻蚀去除所述氧化层的工艺参数包括：刻蚀气体包括：SiF4或CF4。
15.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述功函数层之前，在所述基底表面形成栅介质层；在所述栅介质层表面形成所述功函数层。
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