[发明专利]LDMOS晶体管及其形成方法、以及ESD器件及其形成方法

说明书

一种LDMOS晶体管及其形成方法、以及ESD器件及其形成方法，其中LDMOS晶体管包括：基底；第一阱区，位于基底中，第一阱区掺杂有第一阱离子；第二阱区，位于基底中，所述第二阱区位于第一阱区侧部，第二阱区掺杂有第二阱离子，所述第二阱区包括第一区域，所述第一区域与第一阱区邻接；第一离子掺杂区，位于第一阱区和第一区域内，第一离子掺杂区中掺杂有第一离子，第一离子的类型与第一阱离子的类型相同且与第二阱离子的类型相反；栅极结构，位于部分第一阱区和至少部分第一区域上。由于LDMOS晶体管具有第一离子掺杂区，能够在调节LDMOS晶体管的阈值电压的同时改善LDMOS晶体管的热载流子效应，从而提高了LDMOS晶体管的电学性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种LDMOS晶体管及其形成方法、以及ESD器件及其形成方法。

背景技术

功率场效应晶体管是一种重要的晶体管。所述功率场效应晶体管主要包括垂直扩散MOS(Vertical Diffused Metal Oxide semiconductor，VDMOS)晶体管和横向扩散MOS(Lateral Double-Diffused MOSFET，LDMOS)晶体管。相对于VDMOS晶体管，LDMOS晶体管具有许多优点，如更好的热稳定性和频率稳定性、更高的增益、更低的反馈电容和热阻、以及恒定的输入阻抗。

然而，现有技术中形成的LDMOS晶体管在调节LDMOS晶体管的阈值电压的同时不能改善LDMOS晶体管的热载流子效应，导致LDMOS晶体管的电学性能降低。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种LDMOS晶体管及其形成方法、以及ESD器件及其形成方法，以在调节LDMOS晶体管的阈值电压的同时改善LDMOS晶体管的热载流子效应。

为解决上述问题，本发明提供一种LDMOS晶体管，包括：基底；第一阱区，位于基底中，第一阱区掺杂有第一阱离子；第二阱区，位于基底中，所述第二阱区位于第一阱区侧部，第二阱区掺杂有第二阱离子，所述第二阱区包括第一区域，所述第一区域与第一阱区邻接；第一离子掺杂区，位于第一阱区和第一区域内，第一离子掺杂区中掺杂有第一离子，第一离子的类型与第一阱离子的类型相同且与第二阱离子的类型相反；栅极结构，位于部分第一阱区和至少部分第一区域上。

可选的，位于所述第一阱区内的第一离子掺杂区适于调节LDMOS晶体管的阈值电压。

可选的，当所述LDMOS晶体管的类型为P型时，所述第一离子为N型离子。

可选的，当所述LDMOS晶体管的类型为N型时，所述第一离子为P型离子。

可选的，所述第一离子掺杂区还掺杂有第二离子，所述第二离子为碳离子或者氟离子。

可选的，所述栅极结构位于部分第一阱区和部分第一区域上；或者所述栅极结构位于部分第一阱区和全部第一区域上。

可选的，还包括：源区，所述源区位于栅极结构一侧的第一阱区内。

可选的，所述第二阱区还包括第二区域，所述第二区域与第一区域邻接，所述第二区域和第一阱区分别位于第一区域两侧。

可选的，还包括：漏区，所述漏区位于第二区域内。

可选的，还包括：隔离结构，所述隔离结构位于第一区域和漏区之间的第二区域内。

可选的，所述栅极结构位于部分第一阱区和全部第一区域上、以及部分隔离结构上。

本发明还提供一种ESD器件，包括上述任意一项所述的LDMOS晶体管。