[发明专利]LDMOS晶体管及其形成方法、以及ESD器件及其形成方法

权利要求书

1.一种LDMOS晶体管，其特征在于，包括：

基底；

第一阱区，位于基底中，第一阱区掺杂有第一阱离子；

第二阱区，位于基底中，所述第二阱区位于第一阱区侧部，第二阱区掺杂有第二阱离子，所述第二阱区包括第一区域，所述第一区域与第一阱区邻接；

第一离子掺杂区，位于第一阱区和第一区域内，第一离子掺杂区中掺杂有第一离子，第一离子的类型与第一阱离子的类型相同且与第二阱离子的类型相反，所述第一离子掺杂区还掺杂有第二离子，所述第二离子为碳离子或者氟离子；

栅极结构，位于部分第一阱区和至少部分第一区域上。

2.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，位于所述第一阱区内的第一离子掺杂区适于调节LDMOS晶体管的阈值电压。

3.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，当所述LDMOS晶体管的类型为P型时，所述第一离子为N型离子。

4.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，当所述LDMOS晶体管的类型为N型时，所述第一离子为P型离子。

5.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述栅极结构位于部分第一阱区和部分第一区域上；或者所述栅极结构位于部分第一阱区和全部第一区域上。

6.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，还包括：源区，所述源区位于栅极结构一侧的第一阱区内。

7.根据权利要求6所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述第一离子掺杂区沿基底顶部表面法线方向上的尺寸大于所述源区沿基底顶部表面法线方向上的尺寸；或者所述第一离子掺杂区沿基底顶部表面法线方向上的尺寸小于所述源区沿基底顶部表面法线方向上的尺寸；或者所述第一离子掺杂区沿基底顶部表面法线方向上的尺寸等于所述源区沿基底顶部表面法线方向上的尺寸。

8.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述第二阱区还包括第二区域，所述第二区域与第一区域邻接，所述第二区域和第一阱区分别位于第一区域两侧。

9.根据权利要求8所述的LDMOS晶体管，其特征在于，还包括：漏区，所述漏区位于第二区域内。

10.根据权利要求9所述的LDMOS晶体管，其特征在于，还包括：隔离结构，所述隔离结构位于第一区域和漏区之间的第二区域内。

11.根据权利要求10所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述栅极结构位于部分第一阱区和全部第一区域上、以及部分隔离结构上。

12.一种ESD器件，其特征在于，包括权利要求1至11任意一项所述的LDMOS晶体管。

13.一种LDMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在基底中形成第一阱区，第一阱区掺杂有第一阱离子；

在基底中形成第二阱区，所述第二阱区位于第一阱区侧部，第二阱区掺杂有第二阱离子，所述第二阱区包括第一区域，所述第一区域与第一阱区邻接；

在所述第一阱区和第一区域内形成第一离子掺杂区，第一离子掺杂区中掺杂有第一离子，第一离子的类型与第一阱离子的类型相同且与第二阱离子的类型相反，所述第一离子掺杂区还掺杂有第二离子，所述第二离子为碳离子或者氟离子；

在部分第一阱区和至少部分第一区域上形成栅极结构。

14.根据权利要求13所述的LDMOS晶体管的形成方法，其特征在于，形成第一离子掺杂区的方法包括：

在所述基底上形成第三掩膜层，所述第三掩膜层暴露出第一阱区和第一区域；

以所述第三掩膜层为掩膜，采用第一离子注入工艺将第一离子注入到第一阱区和第一区域中，形成第一离子掺杂区。