[发明专利]一种低压差线性稳压器的过流保护电路

权利要求书

1.一种低压差线性稳压器的过流保护电路，与低压差线性稳压器相连接并对其进行过流保护，所述的低压差线性稳压器包括电压输入端、源极与电压输入端相连接的功率管、与功率管的栅极相连接的驱动电压端、与功率管的漏极相连接的电压输出端，其特征在于，

所述低压差线性稳压器的过流保护电路包括栅极与功率管的栅极、漏极与功率管的漏极分别相连接的采样管,以将采样电流输出芯片外，降低芯片的静态功耗，第一输入端与电压输入端相连接、第二输入端与采样管的源极相连接的电流比较电路，输入端与电流比较电路的输出端相连接的过流保护执行电路，过流保护执行电路的输出端与驱动电压端相连接。

2.根据权利要求1所述的一种低压差线性稳压器的过流保护电路，其特征在于，所述电流比较电路包括第一电阻、第二电阻、第一PNP管、第二PNP管、为所述第一PNP管和第二PNP管提供1:1的偏置电流的偏置电流电路，所述第一电阻的上端与第二电阻的上端相连接，所述第二电阻的上端作为电流比较电路的第一输入端，所述第一电阻的下端作为电流比较电路的第二输入端，所述第一电阻的下端与第一PNP管的发射极相连接，所述第一PNP管的基极与第二PNP管的基极相连接，所述第一PNP管的基极与集电极相连接，所述第二PNP管的发射极与第二电阻的下端连接，所述第二PNP管的集电极作为电流比较电路的输出端，所述偏置电流电路的第一输出端与第一PNP管的集电极连接，所述偏置电流电路的第二输出端与第二PNP管的集电极连接。

3.根据权利要求2所述的一种低压差线性稳压器的过流保护电路，其特征在于，所述过流保护执行电路包括第一偏置电流端、栅极与第二PNP管的集电极相连接的第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、发射极与驱动电压端相连接的第一NPN管，所述第一NMOS管的漏极与第一偏置电流端相连接，所述第一NMOS管的源极与第二NMOS管的源极相连接，所述第二NMOS管的栅极与第一NMOS管的漏极相连接，所述第二NMOS管的栅极与第一PMOS管的栅极相连接，所述第二NMOS管的漏极与第一PMOS管的漏极相连接，所述第二NMOS管的漏极与第一NPN管的基极相连接，所述第一NPN管的集电极与第一PMOS管的源极相连接，所述第一PMOS管的源极与电压输入端相连接。

4.根据权利要求3所述的一种低压差线性稳压器的过流保护电路，其特征在于，所述偏置电流电路包括第二偏置电流端、偏置电压端、漏极与第二偏置电流端相连接的第三NMOS管、第四NMOS管、漏极与第一PNP管的集电极相连接的第五NMOS管、第六NMOS管、漏极与第二PNP管的集电极相连接的第七NMOS管、源极与第一NMOS管的源极相连接的第八NMOS管，所述第三NMOS管的源极与第四NMOS管的漏极相连接，所述第四NMOS管的栅极与第二偏置电流端相连接，所述第三NMOS管的栅极与偏置电压端相连接，所述第三NMOS管的栅极与第五NMOS管的栅极相连接，所述第五NMOS管的源极与第六NMOS管的漏极相连接，所述第六NMOS管的栅极与第四NMOS管的栅极相连接，所述第六NMOS管的栅极与第八NMOS管的栅极相连接，所述第八NMOS管的漏极与第七NMOS管的源极相连接，所述第七NMOS管的栅极与第五NMOS管的栅极相连接，所述第四NMOS管、第六NMOS管、第八NMOS管的源极接地。

5.根据权利要求1至4任一项所述的一种低压差线性稳压器的过流保护电路，其特征在于，所述功率管和采样管为宽长比成比例的PMOS管。