[发明专利]提高空穴注入的发光二极管外延生长方法有效
| 申请号： | 201610355656.4 | 申请日： | 2016-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN105870269B | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 林传强 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人： | 于淼 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 空穴 注入 发光二极管 外延 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
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