[发明专利]用于三维集成结构的改善布线有效

专利信息
申请号: 201610355354.7 申请日: 2016-05-25
公开(公告)号: CN106898598B 公开(公告)日: 2021-01-01
发明(设计)人: A·艾尔斯;B·博罗特 申请(专利权)人: 意法半导体(克洛尔2)公司
主分类号: H01L23/538 分类号: H01L23/538;H01L21/768
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 法国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 三维 集成 结构 改善 布线
【说明书】:

本公开提供用于三维集成结构的改善布线。三维集成结构由具有定向在第一方向上的第一部件的第一衬底和具有定向在第二方向上的第二部件的第二衬底形成。互连层级包括在第三方向上行进的导电轨道。第二方向和第三方向之一与第一方向形成非直角并且非零角。由导电轨道中的至少一个导电轨道形成的电链路电连接第一或第二部件的两个点。

优先权声明

本申请要求2015年12月18日提交的法国专利申请No.1562785的优先权,其公开内容通过引用并入于此。

技术领域

本发明的各种实施例和其实施方式涉及三维集成结构,例如包括刚性附接在一起的单独芯片的结构,或者被称为单片的——换句话说,由各种元件(衬底、互连部分等)的连续堆叠形成的——三维结构,并且更具体而言,涉及这种结构的各种元件之间的互连的布线。

背景技术

通常,集成电路的部件由在两个优选的正交方向上行进的导电轨道互连。这一类型的布线被本领域技术人员称为“曼哈顿(Manhattan)布线”。这一类型的布线不允许电路的斜向定位的两个部件“以直线”连接,例如在由优选的正交连接方向形成的参考系中相对于彼此沿着对角线连接。互连长度(并且因此,信号的传播时间)不是在电路的所有方向上都是最优的。

从电路的性能特性的观点来看,允许斜向(例如对角线)互连的布线将是期望的,但是与用于具有高集成密度的集成电路的制造技术不兼容。

发明内容

因此,根据一个实施例,提供了如下集成结构,其包括在至少三个不同方向上行进的传导轨道,并且其制造通过常规方法以简单方式执行。

根据一个方面,提供了如下三维集成结构,其包括:至少第一衬底,包括定向在至少第一方向上的第一部件(例如,形成晶体管的栅极或者电阻器的多晶硅的线,其在第一方向上行进从而向这些晶体管或者这些电阻给出第一定向);第二衬底,包括定向在至少第二方向上的第二部件;以及至少一个互连层级,包括在至少第三方向上行进的导电轨道,第二方向和/或第三方向与第一方向形成非直角并且非零角,以这样的方式使得第一部件或者第二部件的两个点经由包括导电轨道中的至少一个导电轨道的第一电链路连接。

因此,通过使用三维集成结构(其一部分相对于该结构的另一部分旋转非零并且非直角的角),成为可能的是,以简单方式,在两个点之间形成直的和斜向的电链路,这对于“曼哈顿”类型的常规布线是不可能的。

无论结构是单片类型的还是由单独的芯片形成的,这都是可应用的。

因此,在单片结构的情形下,两个衬底可以成角度地偏移,其中第三方向平行于第二方向,但是因为这一原因,相对于第一方向成角度地偏移。

作为变体,两个衬底可以不成角度地偏移,但是在这一情形下,是互连层级相对于两个衬底成角度地偏移。

当然可能的是,在每个衬底的顶部上提供互连的至少一个层级,其中例如组件“与第二衬底关联的互连层级”相对于组件“与第一衬底关联的互连层级”成角度地偏移。

在单独芯片的情形下,第一芯片可以包含第一衬底和第一互连部分,第二芯片可以包含第二衬底和第二互连部分,并且当两个芯片被组装时,它们将成角度地偏移。

优选地,非直角并且非零角是45°的角。

根据“单独芯片”类型的一个变体,集成结构可以包括至少:

-第一元件(例如第一芯片),其包括第一衬底和至少第一互连层级,第一互连层级包含至少在平行于或者正交于第一方向的第四方向上行进的第一导电轨道,以及

-第二元件(例如第二芯片),其包括至少第二衬底和至少第二互连层级,第二互连层级包含在至少第三方向的定向上行进的第二导电轨道。

两个元件被刚性附接在一起,并且

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